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作者:赵莉莉,袁海凤,孙德辉,贾进,余加源,张晓丽,刘晓燕
通讯作者:刘宏*,周伟家*
导读
电催化剂的活性晶面调节和晶体结构设计对水裂解制氢反应至关重要,为了深入研究双金属键保护钼催化位点以及电催化剂活性晶面与电催化活性之间的关系,
导师专访
Q: 该领域目前存在的问题?这篇文章的重点、亮点。
此外,碳化钼的不同晶相对HER的催化活性和稳定性也有一定的影响,其催化活性和稳定性受不同晶相的费米能级位置的调节。虽然不同的晶相和暴露的活性位点对电催化活性的影响已被广泛研究,但碳化钼电催化活性晶面与电催化活性之间的关系仍很少报道。
背景简介
化石燃料对环境的污染以及全球能源需求的增长引发了对可再生和清洁能源的稀缺需求。通过电解将水分解以产生清洁和可持续的氢气已被认为是一种理想的方法,它能够满足未来的潜在需求。高效的析氢反应(HER)电催化剂是促进有效水分解的重要因素。
迄今为止,由于氢吸收吉布斯自由能(ΔGH*)接近于零,因此铂(Pt)基电催化剂已被认为是HER的优异电催化剂。然而,高成本和低丰度极大地限制了其大规模应用。因此迫切需要探索具有提高的HER活性和高丰度的非贵金属电催化剂,并且已经进行了许多研究。过渡金属碳化物(尤其是碳化钼)已被视为替代品,因为与Pt类金属具有相似的电子结构,对HER表现出出色的活性和耐用性。
研究表明Mo位点是碳化钼的析氢反应活性位点,如何抑制碳化钼碳化过程中的积碳反应并充分暴露Mo催化位点是提高碳化钼析氢活性的重要因素。
导师专访
Q:您对该领域的今后研究的指导意见和展望?
前期工作积累
周伟家教授与合作者在通过引入双金属键保护钼催化位点研究方面具有深厚的前期研究基础。前期,以钼酸铜双金属氧化物微米棒作为钼源和铜催化模板,在高温下引入CH4气体作为碳源,形成由三维交联的石墨烯负载Cu-Mo2C 的微米棒,经氯化铁溶液刻蚀铜形成Mo2C/多级石墨烯复合催化剂。发现了铜在Mo2C催化剂合成中起到关键的作用,包括调控纳米棒形貌、催化形成多级石墨烯、抑制碳化钼颗粒长大和保护碳化钼催化位点不被碳覆盖等(Nano Energy, 2017, 41, 749,第一作者:贾进,通讯作者:周伟家,陈少伟)。
此后进一步发现了锌元素具有高温升华特性,合成钼酸锌纳米片,与双氰胺高温煅烧,一步实现了碳化钼纳米片合成、锌金属去除和钼催化位点显露,避免了两步刻蚀对碳化钼结构和催化活性的影响(Nanoscale, 2019, 11, 1700,第一作者:曹青,赵莉莉,通讯作者:周伟家,Yusuke Yamauchi,林健健)。
图1.
图2.
而在本工作中,作者以CdMoO4为模板和钼源,制备了多孔、高取向的镉氮共掺杂碳化钼八面体(PHA-Mo2C)。镉元素不仅具有和锌相似的升华特性,形成多孔碳化钼,暴露Mo活性位点;而且能够调控碳化钼的活性晶面。
首先,Cd的升华可以通过产生多孔结构,有效暴露Mo的活性位点,增加有效活性表面。
其次,Cd对Mo2C表面碳沉积的抑制作用有利于暴露催化位点。
第三,所获得的PHA-Mo2C具有高度取向的结构,这有利于内部电子转移以提高HER性能。
第四,Cd的存在可以有效地调节Mo2C的活性晶面,从而提高HER活性,更为重要的是提出了活性晶面指数值(200)/(121)晶面比来作为Mo2C高电催化HER活性的评价标准。
图3.
具体而言,本文以CdMoO4八面体为前驱体合成了多孔、高度定向的碳化钼纳米八面体(PHA-Mo2C)。镉元素的存在对形成多孔、高度取向性结构,抑制碳化钼表面积碳、暴露Mo活性位点、调节碳化钼的活性晶面起到了重要作用。
本文采用以Cd(Ac)2·2H2O和MoO3纳米带为前驱体的溶剂热法合成了CdMoO4 八面体。金属Cd的升华从450OC开始,几乎在600OC完全升华,而CdO的升华温度约为900OC。因此,首先在Ar/H2(10%)气流下于500OC下还原CdMoO4八面体,以破坏Mo和Cd之间的化学键,形成CdOx/MoO2八面体。
少量的镉升华有利于碳与多孔CdOx/MoO2的渗透反应。但是,有必要在CdOx/MoO2中保留一部分Cd,以在双氰胺的退火过程中抑制Mo2C上的碳沉积。最后,通过在800OC下用双氰胺酰胺煅烧获得PHA-Mo2C八面体。CdOx被双氰胺衍生的碳还原生成金属Cd,Cd的升华促进了碳化钼多孔结构的形成。同时,Mo2C中的Mo活性位通过Cd的存在得到保护,并通过Cd的升华而暴露。为了避免Cd对环境的污染,本文在石英管的出口端添加了冷凝装置和可回收瓶,以回收升华的Cd。因此,升华的Cd可以完全回收,不会引起任何环境问题。
图4.
为了进一步研究Cd的存在对碳化钼晶面的调控作用,通过XRD表征有Cd和无Cd合成的碳化钼样品的晶面组成。
XRD(图4a)结果显示无Cd前驱体(MoO3)相比于CdMoO4前驱体合成的碳化钼多出一个碳化钼(121)晶面的衍射峰,说明Cd的存在能够调控特殊晶面的生长。
进一步对不同炭化温度样品的XRD结果显示,750oC和800oC合成的碳化钼只显示出(200), (023) 和 (223)晶面,而当温度升高到850oC和900oC时,一些新的衍射峰特别是(121)晶面凸显。由于900 degC,Cd完全升华,导致新(121)晶面出现,因此XRD结果可以证明Cd存在能够调控碳化钼晶面的生长。调控机理通过DFT理论计算证实。
图5.
所获得的PHA-Mo2C表现出显着增强的HER活性,其相对于RHE的起始电位为-25 mV,Tafel斜率为47.3 mV/dec,在-10 mA/cm2的电流密度下,过电位为93 mV。另外,在酸性电解液中,PHA-Mo2C在大电流密度下也表现出出色的长期循环稳定性。这项工作为镉调控合成具有活性晶面调控和高电化学活性面积的高效碳化钼电催化剂提供了新的策略。
第一作者专访
1. 该研究的设计思路和灵感来源
2. 该实验难点有哪些?
3.该报道与其它类似报道最大的区别在哪里?
该报道与类似报道的区别在于:
(1)材料制备方法的不同,利用Cd高温升华特性制备多孔碳化钼,避免了溶液刻蚀过程。
(2)到目前为止,几乎所有报道的碳化钼电催化剂都是多晶结构,而本工作合成的碳化钼具有高度晶格取向的多孔结构。
(3)通过Cd元素调控碳化钼活性晶面,提出了以活性晶面指数值(200)/(121)晶面比来作为Mo2C高电催化HER活性的评价标准。
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