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导读
要点解析
图1.
双金属有序原子杂化Re2MnS6超薄纳米芯片的结构如图1所示。研发人员通过高铼酸钠、高锰酸钠和硫脲为稀土、锰和硫源,采用柠檬酸辅助溶剂热法制备了超薄Re2MnS6纳米片。通过SEM、TEM和XRD表征,结合理论计算和模拟,确定了Re2MnS6超薄纳米片的分子结构。
图2.
通过对Re2MnS6电子结构的理论计算,研究小组发现,当Mn原子被引入Re2MnS6中形成有序的Re2MnS6结构时,Mn-S配位与Re-s配位的Paul电负性差异将导致Re-5d和Mn-3d轨道上的电子转移,显示出半金属的特性,为载体的快速运输和反应路径的调控提供了可能。
图3.
结果表明,Mn(Re2MnS6)的有序杂化可以大大提高N2制NH3的效率。如图3所示,电化学测试表明,在-0.3V(相对于可逆氢电极, RHE)和0.1M Na2SO4中,Re2MnS6具有较高的NH3产率(15.1 mg h-1),在-0.2V时法拉第效率可达17.42%,远高于ReS2(2.3 mg h-1)。同时,该催化剂具有较高的电化学稳定性,在6小时的电催化过程中其催化电流没有明显下降。
图4.
相关论文链接:
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.0c01037
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