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Published: 17 June 2020
导读
本文报道了一种缺陷态三元金属硫化物(CdIn2S4)光阳极材料。通过引入表面硫空位显著提高了其光电化学性能。在模拟太阳光下,1.23 V(vs. RHE)时,具有5.73 mA cm-2的光电流密度,同时,在0.477 V(vs. RHE)偏压下光电转换效率为2.49%。
背景简介
太阳能的有效利用可以为缓解化石燃料日益增加的消耗所带来的能源和环境问题提供一条可再生的途径。除了将太阳能转化为电能的光伏技术外,光电化学水分解技术(PEC)被认为是另一种很有前途的策略。而将太阳能储存到氢燃料的化学键中引起了极大的研究兴趣。
除了对现有的光阳极材料进行研究外,探索新的半导体材料并将其作为光阳极材料可提供一条新的途径。理想的串联PEC电池由带隙为2.0 eV的光电阳极和带隙为1.2 eV的光电阴极组成,以实现最高的STH效率和无需辅助的水分解。因此,理论上具有合适带隙和能带位置的半导体具有作为光阳极的潜力。
核心内容
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