文 章 信 息
硼处理促进BiVO4界面电荷分离和转移以实现高效稳定的太阳能水分解水制氢
第一作者:王浩
通讯作者:高瑞廷*、王蕾*
单位:内蒙古大学
研 究 背 景
为缓解能源和环境问题,光电化学水分解制氢(PEC)被认为是太阳能存储和转换的有效策略之一。BiVO4半导体由于具有合适的带隙(~2.4 eV)和适当的带边位置,已被证明是太阳能水分解最有前途的材料之一。然而由于电荷转移缓慢、电子-空穴对复合严重以及缓慢的水氧化反应动力学,报道的BiVO4基光阳极的光电流密度常低于其理论值(7.5 mA cm-2),严重限制了其STH转换效率。
文 章 简 介
基于此,内蒙古大学王蕾教授课题组,在Chemical Engineering Journal期刊上发表题为“Boosting charge separation and transfer at the boron-triggered BiVO4 interface for efficient and stable solar water splitting”的研究论文。
该研究提出了一项简单而有效的半导体表界面蚀刻策略,以NaBH4还原处理光阳极,调节光阳极/催化剂界面,进一步修饰NiFeBi析氧助催化剂(OEC),显著提高BiVO4(BVO)光阳极的PEC活性和稳定性。由此制备的NiFeBi/R-BVO光阳极在1.23 VRHE下达到了6.33 mA cm-2的光电流密度,比原始BVO提高了约3.63倍。
经表征分析得出,缺电子态B的引入加速了表面光生空穴的捕获和电荷转移,从而增强BVO和NiFeBi OEC之间的界面耦合,有助于提升空穴从BiVO4到NiFeBi表面进行水氧化的能力。密度函数理论计算进一步证明,表面B处理增加了OER的有效反应路径数,费米能级附近的电子态密度增加,从而提高了BVO/OEC界面的电导率。本工作为实现高效水氧化的界面工程提供了可行策略。
本 文 要 点
要点一:简单高效的表界面处理策略
制备的BVO在NaBH4缓冲液中进行5 min的刻蚀处理,然后在含有NiSO4和FeSO4的KBi缓冲液中光辅助沉积3min,制备出高效稳定的NiFeBi/R-BVO光阳极。SEM显示,NiFeBi/R-BVO光阳极呈典型的纳米蠕虫结构,厚度约为600 nm。TEM表明,处理后的光阳极表面形成了一层3 nm左右的无定形助催化层,且Bi、V、O、Ni、Fe、B元素均匀分布。
图1. NiFeBi/R-BVO结构表征。
要点二:高效的PEC水分解性能和长期稳定性
对NiFeBi/R-BVO进行了相应的光电化学性能测试,在一个标准太阳下表现出6.33 mA cm-2的光电流密度,并且稳定性可达40小时。莫特肖特基曲线和EIS测试表明,NiFeBi/R-BVO比NiFeBi/BVO和BVO具有更低的界面阻抗和更高的载流子密度,表明NaBH4处理和NiFeBi助催化剂的修饰能有效提高BVO的水氧化动力学。对NiFeBi/R-BVO光阳极稳定性测试过程进行了气相色谱分析,平均法拉第效率约为95.2%,这进一步证实了其优异的水分解能力。
图2. BVO, NiFeBi/BVO和NiFeBi/R-BVO电极的光电催化性能。
要点三:载流子动力学分析
为了深入探究载流子动力学过程,对不同样品进行了PL和TRPL分析,结果表明NiFeBi助催化剂的修饰加快了光生空穴的提取,而经过NaBH4处理的BVO/OEC界面体现出更长的载流子寿命,这意味着电子-空穴对的界面复合被有效抑制。瞬时光电流和IMPS结果也进一步证明了该结论,经过两步简单的表面处理,光生载流子的复合明显抑制。
图3e表明,NiFeBi修饰的BVO具有较好的表面分离效率(72%),而经过NaBH4预处理的NiFeBi/R-BVO显示出高达94%的表面分离效率。同时OCP显著增加,说明所制备的NiFeBi/R-BVO在光阳极/电解质界面具有更强的驱动力和更大的能带弯曲,有利于水氧化反应和更有效的电荷分离。
图3. BVO, NiFeBi/BVO和NiFeBi/R-BVO的动力学分析。
要点四:NaBH4处理对表界面的影响
SEM和TEM结果表明,BVO经NaBH4处理后形成一层无定形层。XPS结果显示,NaBH4处理后的R-BVO表面掺入了B元素。缺电子态的B可以与多电子的O、V和Bi元素共用电子对形成配位键,同时可以有效地捕获自由电子,增加表界面处的载流子密度,有效提高BVO的水氧化性能。
图4. NaBH4处理的BVO的光电催化性能及表征分析。
要点5:DFT计算结果
DFT计算结果显示,NiFe/BVO、NiFeBi/BVO和NiFeBi/R-BVO的OER有效路径数(ΔGmax<=0)分别为17、26、38。随着B的引入,OER反应路径的数量增加,有助于促进OER反应发生。同时DOS结果显示,B处理可以提高BVO的导电性,有助于提高PEC性能。
图5. DFT理论计算分析
文 章 链 接
Hao Wang, Rui-Ting Gao,* Lei Wang.* Boosting charge separation and transfer at the boron-triggered BiVO4 interface for efficient and stable solar water splitting.
https://doi.org/10.1016/j.cej.2023.142571
通 讯 作 者 简 介
王蕾教授:内蒙古大学化学化工学院教授,博士生导师。近年来主要从事一维自组装半导体材料设计及光电催化/电催化分解水制氢研究。以一作/通讯作者在Sci. Adv.、Angew. Chem. Int. Ed. (4篇)、Adv. Mater.、Adv. Energy Mater.、Adv. Funct. Mater.、Nano Energy (4篇) 、ACS Catal. (3篇)、Appl. Catal. B (3篇)等期刊发表论文60余篇,ESI高被引2篇。
主持国家重点研发计划纳米专项子课题(负责人)、国家自然科学基金及省部级项目10余项;入选内蒙古自治区杰出青年、内蒙古自治区第十批“草原英才”、内蒙古大学“骏马计划”等人才项目;获得内蒙古自治区青年科技创新奖,内蒙古大学乌可力优秀教师奖、中国科学院“西部青年学者”称号。现为《物理化学学报》青年编委,Frontiers in Chemistry客座编委。
高瑞廷:内蒙古大学化学化工学院博士研究生。2020-2022连续三年获得博士国家奖学金,2020年获得内蒙古大学校长励学奖(硕士)。以第一作者在Sci. Adv.、Angew. Chem. Int. Ed. (2篇)、Adv. Energy Mater.、Nano Energy、ACS Catal.、Appl. Catal. B、J. Mater. Chem. A期刊发表论文8篇,ESI高被引1篇。
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