文 章 信 息
Cs3MoxSbyBr9/BiVO4 S型异质结实现了非铅卤化钙钛矿在光催化氮还原中的首次应用
第一作者:刘兆磊,罗寒英
通讯作者:穆延飞*,张敏*
研 究 背 景
在自然界中,氮循环在维持生命中起着至关重要的作用。大多数生命所必需的生物分子都含有氮,例如氨基酸、蛋白质和核酸等。固氮酶是生命体中将氮(N2)转化为氨(NH3)的重要桥梁,是含氮分子生物合成的基础。Haber-Bosch工艺制氨使用的H2来自蒸汽甲烷水解(CH4 + 2H2O→4H2 + CO2)或着煤气化(C + 2H2O→2H2 + CO2),因此会排放出大量的人为的CO2。据估计,所有人为二氧化碳排放的1.5%(每年4.2亿吨)都与哈伯-博世工艺有关。为了减少二氧化碳排放和减缓全球变暖的速度,目前,研究人员正在积极寻求可持续的氨合成技术。光催化固氮,即利用太阳光和光催化剂将N2还原为NH3,是一种非常有前途的更可持续的氨生产路线。
金属卤化物钙钛矿(MHPs)材料是一种新兴的光电器件材料,由于其固有的优异的光生载流子性能,在光催化领域引起了广泛的关注。特别是无铅MHPs表现出较高的稳定性和无污染等特点,近年来受到越来越多的关注。其中,基于p区元素基MHPs(如Sb-MHPs等)具有与Pb-MHPs相似的ns2电子构型和p-p轨道跃迁形式,这使得Sb-MHPs具有极高的研究意义。然而,与许多传统半导体类似,它们与具有强N≡N键的N2分子的弱相互作用以及不充分的光生载流子分离,导致大多数载流子湮灭比N2捕获更快,从而抑制了光催化N2还原反应性能。因此,通过调控电子结构以及引入H2O氧化模块来构建S-型异质结是改善电荷分离和水氧化活化的必要条件。
文 章 简 介
近日,天津理工大学的张敏教授团队在国际知名期刊Chemical Engineering Journal上发表题为“The construction of Cs3MoxSbyBr9/BiVO4 S-scheme heterojunction photocatalyst for efficient photocatalytic N2fixation”的文章。该工作通过原位平面到点生长工艺制备了Cs3MoxSbyBr9/BiVO4 S型异质结,实现了非铅卤化钙钛矿在光催化氮还原中的首次应用。
图1 Cs3MoxSbyBr9/BiVO4 S型异质结材料光催化固氮过程示意图。
本 文 要 点
图2 Cs3MoxSbyBr9/BiVO4制备方案示意图。
本实验采用反溶剂法合成了Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4复合材料。首先,将制备好的BiVO4纳米片(25.0 mg)、SbBr3(15.0 mg)、CsBr(10.0 mg)和MoBr4(7.0 mg)在DMSO溶液(3 mL)中搅拌30分钟。随后,加入20 mL异丙醇溶剂,反应8分钟。经甲苯洗涤、离心、干燥得到Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4复合材料。另外,在其他条件不变的情况下,通过改变MoBr4的质量,可以得到一系列Cs3MoxSbyBr9/BiVO4(其中x和y分别代表Mo和Sb的含量)复合材料。根据MoBr4的添加量从2.5 mg、5 mg和7 mg增加到10 mg,样品分别命名为Cs3Mo0.04Sb1.96Br9/BiVO4、Cs3Mo0.10Sb1.90Br9/BiVO4、Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4和Cs3Mo0.14Sb1.86Br9/BiVO4。
图3(a-c)SAED、TEM图像和HRTEM图像与制备的Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4的晶格间距。(d,e)Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4的EDX分析。
X-射线衍射(XRD)图谱(图3a)表明,制备的BiVO4纳米片可以很好地与I2/a(15)单斜相(JCPDS NO. 00−014−0688)标准卡片相吻合,在18.67°、28.95°、35.22°、46.71°和59.26°处显示出对应于(110)、(121)、(002)、(240)和(123)晶面的特征衍射峰。Cs3Sb2Br9的XRD图像在22.40°、27.53°、31.89°和45.73°处表现出较强的特征峰,分别与(110)、(201)、(022)和(024)晶面吻合较好。其中Cs3Mo0.13Sb1.87Br9和Cs3Sb2Br9保持了与P-3m1(164)六方空间群(JCPDS NO. 04−009−0964)标准卡片一致的晶体特征,表明Mo功能化后Cs3Sb2Br9的特征结构得以保留。透射电子显微镜(TEM)研究表明,合成的BiVO4具有二维纳米片形貌(图3b),平均厚度为~ 12 nm。图3c所示为合成的Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4复合材料的TEM图像,其中大量Cs3Mo0.13Sb1.87Br9纳米晶体负载在BiVO4纳米片的表面,尺寸大小约为5 nm。
Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4的选择区电子衍射(SAED)图(图3d)显示出两组衍射条纹,表明Cs3Mo0.13Sb1.87Br9与BiVO4之间形成了纳米级异质结。Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4的高分辨率TEM(HRTEM)图像(图3e)表明了Cs3Mo0.13Sb1.87Br9和BiVO4材料之间通过重叠晶格构建的紧密集成界面。它还清晰地显示了Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的(005)晶格面以及BiVO4的(1−50)和(130)晶格面的特征间距(图3f),分别为1.94 Å、2.13 Å和3.12 Å。此外,元素映射分析(图3g)表明,Cs、Mo、Sb、Br、Bi、V和O元素分布均匀,其中Cs3Mo0.13Sb1.87Br9纳米晶的Cs、Mo、Sb和Br元素均匀分布在BiVO4纳米片表面,进一步证实了Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4的成功构建。
图4(a)Cs3Sb2Br9和Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的ESR光谱。Cs3Sb2Br9和Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的高分辨率XPS光谱图(b)Mo 3d和(c)Sb 3d。(d)Cs3Mo0.13Sb1.87Br9晶格的结构示意图。(e)Cs3Sb2Br9和Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的PDOS构型图。(f)Cs3Sb2Br9和Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的塔菲尔斜率图(η:电位,pH = 0)。
如图4a所示,Cs3Sb2Br9在g = 2.001处可以检测到微弱的ESR信号,这是由单电子捕获的溴空位引起。而对于Cs3Mo0.13Sb1.87Br9,在g = 2.001的溴空位信号旁边,观察到一个新的ESR信号g = 1.938,该峰归属于Mo5+。随着Mo5+种ESR信号的出现,Cs3Mo0.13Sb1.87Br9中溴空位信号显著增强。这些结果表明,引入的Mo5+进入Cs3Sb2Br9晶格中,会取代部分Sb3+,也会形成更多的溴空位。图4b为Mo 3d XPS图谱,可以在233.4、235.8、230.0和232.4 eV处拟合出四重XPS峰,分别归属于Mo 3d3/2和Mo 3d5/2的特征峰,证实了Cs3Mo0.13Sb1.87Br9中Mo5+和Mo6+两种物质共存。这种Mo5+和Mo6+的部分存在是由于Cs3Mo0.13Sb1.87Br9在溶剂中生长过程中Mo4+被氧化所致。
图4c和4.10为Cs3Sb2Br9与Cs3Mo0.13Sb1.87Br9在暗场下的XPS图谱,从图中可以得出Cs3Sb2Br9的XPS谱线在539.4 eV和530.0 eV处出现双重态Sb 3d3/2和Sb 3d5/2峰,在724.2 eV和738.2 eV处出现双重态Cs 3d3/2和Cs 3d5/2峰,在68.3 eV和69.3 eV处出现Br 3d3/2和Br 3d5/2自旋轨道分裂峰。相比之下,Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的这些峰在Cs 1s、Sb 3d和Br 3d中分别出现了0.2 eV、0.4 eV和0.2 eV的正位移,这表明由于Mo的功能化,Cs、Sb和Br的局域电子密度降低,表明引入的Mo位点成为Cs3Sb2Br9结构的局域电子中心。确认Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的结构状态(图4d)后,通过态密度(DOS)分析研究了其电子结构,以评估Mo功能化对Cs3Sb2Br9催化能力的影响。
图4e所示为Cs3Sb2Br9和Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的态密度。研究表明,随着Mo功能化,Cs3Mo0.13Sb1.87Br9出现了一个新的d带中心。根据方程,Cs3Sb2Br9和Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的d带中心值分别为-29.43和-4.31 eV。与Cs3Sb2Br9相比,Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的d带中心值更接近费米能级,说明Cs3Mo0.13Sb1.87Br9与N2分子的结合强度更强。当N2被吸附在催化剂上时,Cs3Mo0.13Sb1.87Br9中升高的d带中心可以促进N2接受孤电子对(形成Mo−N σ键),并将电子从d带转移到N≡N π反键轨道上。与Cs3Sb2Br9相比,这一改进将使Cs3Mo0.13Sb1.87Br9能够更有效地吸附和激活N2分子。除此之外,还对Tafel斜率进行了评估以深入了解反应动力学。如图4f所示,其中Cs3Mo0.13Sb1.87Br9具有较小的Tafel斜率(239 mV/dec),而Cs3Sb2Br9的Tafel斜率为614 mV/dec。这说明Mo的功能化促进了Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的N2还原反应动力学,也预示了第一个电子转移步骤(即*N2H的形成)是限速步骤
图5(a)Cs3Mo0.13Sb1.87Br9和BiVO4的紫外可见漫反射光谱和相应的Tauc图以及(b,c)UPS光谱。(d)Cs3Mo0.13Sb1.87Br9(110)和(e)BiVO4(002)的功函数。(f)BiVO4和Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的能带结构。
根据UV-Vis DRS光谱得出相应Tauc图(图5a),可以计算出Cs3Mo0.13Sb1.87Br9和BiVO4的带隙(Eg)分别为2.44和2.20 eV。为了获得Cs3Mo0.13Sb1.87Br9和BiVO4的能带结构,还进行了紫外光电子能谱(UPS)测试(图5b,c),根据起始边缘(Ei)和二次电子截止(Ecutoff)边缘,利用公式EVB = 21.22 V − (Ecutoff − Ei),相应地可以计算出Cs3Mo0.13Sb1.87Br9和BiVO4的价带边缘电位(EVB),分别为2.03 V和2.54 V(vs. SHE)。结合Eg可以推测出Cs3Mo0.13Sb1.87Br9和BiVO4的导带边缘电位(ECB)分别为-0.41和0.22 V(vs. SHE)。通过静电势计算,估计了Cs3Mo0.13Sb1.87Br9和BiVO4的功函数分别为3.81和6.75 eV(图5d,e),计算显示BiVO4的费米能级低于Cs3Mo0.13Sb1.87Br9。
图5f显示了Cs3Mo0.13Sb1.87Br9和BiVO4的能带结构走向。根据以上结果,我们可以推断,在Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4中,自由电子首先会从Cs3Mo0.13Sb1.87Br9流向BiVO4,达到费米能级平衡。然后,界面处Cs3Mo0.13Sb1.87Br9和BiVO4的能带分别向上和向下弯曲,同时建立了从Cs3Mo0.13Sb1.87Br9到BiVO4的内置电场。在光照射下,BiVO4的光生电子与Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4中的Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的光生空穴在内置电场的驱动下通过界面重新组合,形成了S-型电荷转移途径,实现整体空间电荷分离。
图6(a)以BiVO4、Cs3Sb2Br9、Cs3Mo0.13Sb1.87Br9、Cs3Sb2Br9/BiVO4和Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4为光催化剂光催化还原N2的产率图,(b)对照试验,(c)以14N2或15N2为反应气氛的产物的1H NMR光谱图,(d)Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4在 大气中暗或光下的原位ESR光谱图,(e)光还原N2反应的原位DRIFTS光谱图,(f)光还原N2反应的模拟反应途径示意图。
在气固反应体系中评估N2与H2O氧化协同还原N2的性能。所有的测试结果都使用吲酚蓝法标准曲线进行了校准,结果总结于图6a。Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4异质结的形成,固氮性能得到显著提高,NH3产率为300 ± 5 μmol g−1 h−1,分别是纯Cs3Sb2Br9和纯Cs3Mo0.13Sb1.87Br9的近20倍和4倍。显然NH3生成活性的增强可以归因于N2的吸附活化和Mo功能化以及异质结构的构建使得界面电荷转移等的共同改善。对照试验(图6b)以及同位素标记实验(图6c)表明产物NH3来源于N2的光还原
图6d显示了光照射下ESR光谱中溴空位和Mo5+离子的信号。值得注意的是,在关灯10分钟后,Mo5+信号强度急剧下降,而溴空位信号发生轻微变化。这一实验结果表明,Mo5+位点是光催化N2还原的活性位点。随后,采用原位漫反射红外傅里叶变换光谱(DRIFTS)揭示了N2还原为NH3过程中的中间体演化途径。如图6e所示,随着Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4上光催化N2还原反应的进行,逐渐出现N2到NH3的中间信号。具体来说,1641 cm−1处的尖峰对应于化学吸收的N2(−N≡N)信号,表明在Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4处的Mo位点削弱了N≡N三键。在3432 cm−1处的峰表示H2O的ν(O−H)信号,作为N2活化的质子源。
在3230 cm−1的重叠信号波段是NH3的ν(N−H)伸缩振动,2898 cm−1和1403 cm−1的重叠信号波段是NH4+信号。这些特征信号随着时间的推移而变化,表明Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4通过多步质子耦合电子转移(PCET)过程激活并将N2转化为NH3。值得注意的是,在1537 cm−1处有H−N−H特征信号,但在1102 cm−1处没有NH2−NH2峰[229-231],表明Cs3Mo0.13Sb1.87Br9/BiVO4上的N2固定反应遵循远端缔合途径(图6f)。上述结果说明,氢化反应最初只发生在化学吸附-N2的远端N原子上,产生第一个NH3分子和吸附态N原子。随后,吸附态N原子持续加氢生成第二个NH3分子,直至反应完成。
文 章 链 接
The construction of Cs3MoxSbyBr9/BiVO4 S-scheme heterojunction photocatalyst for efficient photocatalytic N2fixation
https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.151913
通 讯 作 者 简 介
张敏教授简介:天津理工大学新能源材料与低碳技术研究院副院长、教授、博士生导师。2004年和2009年在吉林大学分别获学士和博士学位。2009年-2017年任职于中国科学院长春应用化学研究所。2017年入职天津理工大学新能源材料与低碳技术研究院。长期从事太阳能光电/光化学转化研究,先后作为负责人或科研骨干承担国家和省部级项目10余项,以第一或通讯作者在Energy Environ. Sci.、Matter、Angew. Chem. Int. Ed.等国际主流学术期刊发表SCI论文50余篇。2017年获天津市杰出青年基金资助,2019年分别入选天津市特聘教授和天津市高校学科领军人才计划。
课题组链接:https://www.x-mol.com/groups/Zhang_min_tjut
穆延飞博士简介:扬州大学化学化工学院,讲师,合作导师庞欢教授。2021年毕业于天津理工大学,获博士学位,期间在中国科学院长春应用化学研究所作联合培养博士,导师张敏教授、鲁统部教授和王鹏教授。2022年入选“江苏省卓越博士后”人才计划。现已主持包括国家自然科学基金青年基金等三项项目,参与国家自然科学基金重点支持项目。主要研究方向为光/电器件及光催化剂设计用于催化CO2还原及氮还原研究。现已在Angew. Chem. Int. Ed.、Energy Environ. Sci、Appl. Catal. B-Environ.、J. Energy Chem.、Small等杂志上发表SCI论文20余篇,一作/通讯作者论文12篇。
第 一 作 者 简 介
刘兆磊:天津理工大学2021级博士研究生,导师张敏教授。现已主持天津市研究生科研创新项目一项。主要研究方向为光催化设计用于N2还原以及CO2还原研究。现已在Chem. Eng. J.,Sol. RRL,Nanoscal Adv.杂志发表论文4篇。
罗寒英:天津理工大学2021级硕士研究生,导师张敏教授。现已主持天津市研究生科研创新项目一项。主要研究方向为光催化设计用于N2还原。现已在Chem. Eng. J.,Nanoscal Adv.杂志发表论文2篇。
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