文 章 信 息
快速制备高导电自支撑固态电解质薄膜
第一作者:向文艺
通讯作者:王成威*,陈初升*,占忠亮*
单位:中国科学技术大学
研 究 背 景
石榴石型固态电解质(SSE)对锂金属具有高稳定性、内在安全性和宽电化学窗口。为了实现具有高质量/体积能量密度和高功率密度的全固态电池(ASSB),需要平整致密且具有高离子电导率的电解质薄膜 SSE。然而,由于加工过程中严重的锂损耗和薄膜的易碎性,目前的制造工艺很难同时保持高离子电导率和平整的骨架。
文 章 简 介
近日,中国科学技术大学王成威教授团队开发了一种快速锂补偿(RLC)技术,该技术结合超快速高温烧结(UHS)技术和流延工艺生产出高离子导电性的平整石榴石型 SSE 薄膜。采用该技术制造的自支撑Li6.4La3Zr1.4Ta0.6O12(LLZTO)薄膜厚度为40μm,表面粗糙度为5μm,相对密度为95%。实验结果表明,在经过 10 秒钟的锂补偿后,失锂产物La2Zr2O7明显减少,补偿后的 LLZTO 薄膜显示出 4.3 × 10-4 S/cm 的离子导电率,是未补偿薄膜的 2 倍。作为概念验证,这种 RLC 技术为高性能陶瓷薄膜的制造提出了一种新策略,同时也为 ASSB 的应用奠定了坚实的基础。该文章发表在Nano Energy上。博士生向文艺为本文第一作者。
图 1 超快烧结和快速锂补偿以获得高 Li+ 导电 LLZTO SSE 薄膜的示意图。
本 文 要 点
要点一:薄膜电解质的烧结
薄膜电解质生坯是通过流延工艺所制备,通过调节浆料的成分和刀高,可以控制生坯的厚度在10 μm to 500 μm。如图2所示,生坯具有良好的韧性,可以被轻易的弯曲和裁剪而补发生破损。再经过等静压压制后,薄膜里的粉体颗粒和聚合物紧密接触且薄膜依然保持平整。这些特点都是有利于薄膜烧结过程中的致密化。如图3利用UHS 技术烧结的锂镧锆钽氧(LLZTO)电解质薄膜具有良好的平整度,薄膜的厚度最小可以达到40 μm。然而,由于薄膜巨大的比表面积,其失锂依然严重,这一点由XRD物相分析发现不含锂的镧锆氧(LZO)相增多可以验证。即便如此,薄膜电解质依然具有比块体电解质小的多的面比电阻,这说明,如若电导率还能进一步提高,薄膜电解质的面比电阻还将进一步降低。
图2 流延法制备LLZTO绿带。a)流延工艺示意图。b)球磨后的LLZTO粉末图像。c)将LLZTO粉末和PVB分散在乙醇中制备浆料。d) LLZTO粉末粒度分布统计。e) LLZTO膜图像。f、g)不同放大倍数下LLZTO生坯的横截面形貌。
图 3.LLZTO 薄膜的快速烧结。a) UHS 烧结 LLZTO 薄膜的示意图b) UHS 烧结的致密 LLZTO 薄膜横截面形貌。c 至 f) 不同温度和时间烧结的 LLZTO 薄膜的横截面形貌以及相应的 XRD 图样。g) 平面烧结的 LLZTO 薄膜照片。h) Li/ LLZTO 薄膜/锂对称电池和 Li/ LLZTO 块体/锂对称电池的电化学阻抗谱(EIS)。
要点二:不含锂LZO相与含锂LLZO相的转化
为了探索补偿薄膜电解质的补锂工艺,我们以LZO样品为对象进行了研究(图4)。结果表明,LZO可以与不同的含锂化合物在一定的温度下反应,转变为LLZO,但应为相变导致的巨大体积变化和过度的暴露在高温锂盐中,原本致密的LZO变得疏松多孔。基于此研究,我们提出了快速补锂工艺以避免这些问题。
图 4.a) La2Zr2O7 样品在熔炉中加热进行锂补偿的示意图。b-e) La2Zr2O7 样品在熔融 LiOH 中加热不同时间后的横截面形貌和相应的 XRD 图。f) LZO 和 LLZO 之间的转化示意图。
要点三:快速补锂补偿锂损失,提高电导率
将预镀有氢氧化锂的“缺锂”电解质薄膜快速加热至在1000 ℃下并保温10 s, 氢氧化锂分解产生的氧化锂扩散进入缺锂电解质基底中,从而补偿了烧结过程中的锂损失。此方法处理的电解质薄膜,形貌没有受到损失,电导率提升了两倍,且展现出良好的电化学稳定性(图5)。
图 5.a) 快速锂补偿技术示意图;b-d) RLC 前后 LLZTO 薄膜横截面形貌的比较;e 和 f) RLC 前后 LLZTO 薄膜的 XRD 图样和离子电导率;g 和 h) 采用锂补偿 LLZTO 薄膜的锂对称电池的循环性能和相应的 EIS 谱。
文 章 链 接
Rapid Li Compensation toward Highly Conductive Solid State Electrolyte Film
Wenyi Xiang, Ruotong Ma, Xiaoye Liu, Xiangkun Kong, Shiji Shen, Limin Wang,Zongzi Jin, Zhongliang Zhan*, Chusheng Chen*, Chengwei Wang*
https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2023.108816
通 讯 作 者 简 介
王成威 中国科学技术大学特任教授,博士生导师。2011年获中国科学技术大学学士学位,2015年获亚利桑那州立大学博士学位。2015年至2020年在马里兰大学从事博士后研究,合作导师为胡良兵教授。2020年至2021年作为HighT-Tech公司的联合创始人,从事高温合成技术的应用。2021年9月加入中国科学技术大学,致力于固态锂金属电池和纳米离子导体的设计、合成及其在储能、环境、生物等领域的应用研究。迄今为止,已在Science,Chemical Review,Nature Communications,Advanced Materials,Advanced Energy Materials,Journal of the American Chemical Society等国际高水平期刊发表论文四十余篇。
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