文 章 信 息
钼掺杂提升电传递性能的稳健柔性NiSe基超级电容器研究
共同第一作者:唐桂林,唐巍楠
通讯作者:吴伟,梁静
单位:武汉大学
研 究 背 景
超级电容器因其优异的功率密度、长寿命和快速充放电能力,广泛应用于可再生能源、智能电网、电子设备等领域。随着对能量密度需求的增长,提升超级电容器的性能成为研究重点。过渡金属硒化物,尤其是硒化镍(NiSe),因其卓越的电化学特性而受到关注。NiSe不仅拥有优异的电化学性能,还具有良好的结构可调性。然而,作为电极材料的NiSe也面临一些挑战,包括电解质中阴离子组分的干扰、有限的比容量以及较差的循环稳定性。
为了解决这些问题,研究者们采取了多种策略,如碳包覆、形貌优化以及结构设计等,以提升NiSe的电化学性能。掺杂金属原子被发现是一种有效的方法。例如镁、锰和钼等金属原子的掺杂可以改善材料的电导率并引入更多的缺陷。本研究采用水热反应法,通过钼掺杂策略来优化NiSe的电化学性能。
文 章 简 介
基于此,武汉大学吴伟教授研究团队在国际知名期刊《Small》上发表题为“Boosting the Electrical Transfer by Molybdenum Doping for Robust and Flexible NiSe-Based Supercapacitor”的研究论文。研究团队通过水热反应成功将Mo原子引入到NiSe电极材料中,并利用原子掺杂策略有效改善了NiSe电极材料的电化学性能。掺Mo后的NiSe电极展现了优异的电容性能(799.90 C g-1)、倍率性能(73.5%)和循环稳定性(在循环8000次后比容量保持率高于90%)。通过一系列电化学测试、材料表征和密度泛函理论计算,研究团队分析了Mo掺杂对电极材料性能的影响及其提升机制。同时,利用丝网印刷技术制备了具有优异电化学性质的Mo-NiSe基柔性超级电容器,其比电容高达367.04 mF cm-2,能量密度达到130.5 µWh cm-2,显著优于大多数已报道的印刷柔性超级电容器和NiSe基混合超级电容器。
本 文 要 点
要点一:一步法制备Mo掺杂的NiSe,有效构建了具有高电化学性能NiSe电极材料
图1:电极材料的电化学性能。(a)CV曲线,(b)峰值电流随扫描速率关系图,(c)电容贡献,(d)GCD曲线,(e)Mo-NiSe电极材料的容量。(f)Nyquist图,(插图为拟合电路图,(g)NiSe和Mo-NiSe电极材料在10 A g-1下的循环稳定性。(h)Mo-NiSe电化学性能对比雷达图。
本研究探讨了通过水热法制备Mo掺杂的NiSe电极材料的结构和电化学性能,重点分析了Mo掺杂对NiSe的晶体结构、电子状态以及电化学性能的影响。通过水热反应将Mo掺杂进NiSe中,并通过SEM、EDS、XPS及XRD等多种表征手段确认Mo原子是以替位形式取代了部分Ni原子。XRD结果显示,Mo的掺杂导致晶粒细化和晶格缺陷,这有助于提高材料的电化学性能。
XPS分析表明,Mo掺杂会促使电子从Mo原子转移到Ni原子上,从而提高NiSe的导电性。此外,Mo的掺杂也会增强Se元素与金属成分的相互作用,从而提升材料的稳定性。电化学性能测试表明,Mo的引入可有效的提高NiSe电极材料的电容性和电荷存储能力,同时增强材料的导电性和倍率性能。所制备的Mo-NiSe电极材料比容量可高达799.90 C g-1(1 A g-1),远高于未掺Mo的NiSe电极材料,并在20 A g-1电流密度下保持73.5%的比容量。Mo的掺杂也显著提高材料的耐久性和循环稳定性,经过8000次循环后,比容量仍保持在90%以上。
Mo掺杂通过以下机制有效提升NiSe电极材料的电化学性能:
1)具有良好导电性的Mo提高了材料的电子导电性,增加电子在材料中的流动能力,促进了电化学反应速率;
2)Mo掺杂增加了Ni活性位点周围的电子云密度,提升了电荷转移速率和材料的活性位点;
3)Mo掺杂可以消除局部组分的不均匀性,进一步减少材料在电化学反应过程中的应力、晶体损伤和结构变化。
多种机制使得Mo掺杂NiSe电极材料具备了高比容量、高倍率性能及优异的循环稳定性。
要点二:Mo掺杂提升NiSe电化学性能机制
图2:(a)NiSe和(b)Mo-NiSe的优化晶体结构,电子局域函数(c)剖面和(d)垂直视图,NiSe的(e)晶体结构俯视图、(f)差分电荷密度、(g)能带结构及(h)Ni原子的投影态密度图,Mo-NiSe的的(i)晶体结构俯视图、(j)差分电荷密度、(k)能带结构及(l)Ni原子的投影态密度图。
通过第一性原理计算分析了Mo掺杂对NiSe晶体结构和电子结构的影响,并探究了其对电化学性能的改善作用。优化后的NiSe及Mo-NiSe模型表明,Mo原子掺杂对晶体结构影响较小。Mo-NiSe的电子局域函数显示,掺杂Mo后,Se原子周围的电子局域化显著增加,而Mo原子周围的电子密度较低,表明Mo与Se之间建立了离子键,并引发了电荷重新分配。此外,计算显示Mo掺杂增加了NiSe费米能级附近的态密度,增强了电子离域,从而提高了电极材料的电导率。能带结构的变化揭示了Mo掺杂有效地降低了带隙,显著提高材料的电导率。并且计算结果显示,Mo掺杂提升了Ni的吸附能,增强了电解质离子的亲和力,从而提升了电极材料的电化学性能。理论计算表明,Mo的掺杂能够有效改善NiSe电子结构、降低带隙以及促进电子转移,进而提升电极材料电化学性能,包括电容性能和倍率性能。
要点三:利用丝网印刷技术制备了高性能Mo-NiSe//AC印刷柔性超级电容器
图3:印刷混合超级电容器的电化学性能。(a)混合超级电容器结构及反应原理图,(b)CV曲线,(c)GCD曲线,(d)比电容,(e)Nyquist图,(f)循环稳定性,(插图为器件实际应用图),(g)印刷超级电容器Ragone图。
在上述研究的基础上,本研究利用丝网印刷技术制备了基于Mo-NiSe电极材料的固态印刷柔性超级电容器,该超级电容器表现出了367.04 mF cm-2(1 mA cm-2)的优异比电容,良好的倍率性能和出色的循环稳定性。与之前文献报道的印刷柔性超级电容器和NiSe基超级电容器相比,本研究所制备的印刷柔性超级电容器结合了Mo-NiSe与活性炭(AC)的高功率密度和高能量密度,具有更高的能量密度(130.5 µWh cm-2)和功率密度(0.8 mW cm-2)。利用丝网印刷技术制备的串并联超级电容器可稳定为LED灯、计时器及玩具风扇稳定供能显示了其实际应用潜力。Mo-NiSe基超级电容器的优异电化学性能和实用性突显了Mo-NiSe材料在储能领域的广阔应用前景。
文 章 链 接
Boosting the Electrical Transfer by Molybdenum Doping for Robust and Flexible NiSe-Based Supercapacitor
https://doi.org/10.1002/smll.202402609
通 讯 作 者 简 介
吴伟教授简介:现任武汉大学三级教授,博士生导师,第三届全国创新争先奖获得者,国家万人计划青年拔尖人才,湖北省杰青,印刷工程、包装工程领域全国首席科学传播专家(中国科协第六批),兼任ISO国际标准化组织TC-130技术委员会委员,中国印刷高等教育联盟副理事长,中国感光学会印刷技术专业委员会副主任,中国包装联合会教育委员会副主任委员,中国包装联合会包装规划委员会委员。研究领域为可印刷功能材料的合成,印刷图文信息防伪,印刷电子学与智能包装。
以第一作者或通讯作者在Applied Physics Reviews,Advanced Materials,Advanced Energy Materials,Advanced Functional Materials,ACS Nano,《中国科学‧材料》等国际高水平期刊发表论文100余篇(十余篇论文入选ESI高被引或热点论文),被他人引用12000余次(单篇论文最高引用>1500次)。先后荣获全国商业联合会科技进步奖一等奖,中国产学研合作创新与促进奖二等奖,第十五届毕昇印刷技术奖,湖北省科技进步奖,Elsevier中国高被引学者STAM Best Paper Award,Hong Kong Scholars Award等奖励。
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