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文 章 信 息
通过稳健的S─C键和集流体自诱导形成Cu2S量子点实现Cu1.96S@NC阳极的高效钠存储
第一作者:彭辉,苗文星
通讯作者:彭辉*,马国富*
单位:西北师范大学,生态功能高分子材料教育部重点实验室
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研 究 背 景
随着工业技术的快速发展,近年来以化石燃料为代表的不可再生能源储量急剧下降。迫切需要一种绿色、低成本的电化学储能技术,以适应可再生能源的快速发展,提高其利用率。锂离子电池(LIB)因其出色的能量密度和循环寿命,已成功商业化并用于大规模储能。然而,全球锂资源分布不均及其高昂的价格促使人们逐渐转向其他具有显著成本优势的金属离子电池,如钠离子电池(SIB),以减少储能技术对锂资源的依赖。不幸的是,与Li+(1.02 Å)相比,Na+的尺寸更大,这使得Na+在传统负极材料中的嵌入和脱嵌动力学变慢,并伴随着更严重的体积膨胀。因此,有必要为SIB开发结构令人满意的负极材料,以增强储能容量和稳定性。
过渡金属硫化物(MmSn)被认为是一种很有前途的电化学储能材料,因为它们具有基于多步骤转化反应的高容量和优异的速率特性。与金属氧化物相比,MmSn具有更高的电导率、相对较长的M-S键合和更宽的Na+扩散通道,有助于降低Na+扩散能垒,提高放电容量和倍率性能。尽管如此,原始的MmSn由于循环过程中体积严重膨胀,固有电导率低,容量衰减快,这极大地限制了其在Na存储中的实际应用。为了提高MmSn的导电性,通常采用高导电碳基底骨架来支撑纳米结构的MmSn。
导电碳衬底还可以为钠化/脱钠过程中的体积变化提供缓冲空间,从而提高MmSn的循环稳定性。众所周知,我们通常在制备电极的过程中,将活性材料与导电炭黑混合,以提高材料的导电性,从而制备浆料。相比之下,碳底物的原位形成支持MmSn复合材料(MmSn@C)通过有机杂化前体衍生,通常可以形成稳健的M-C或S-C键,从而使MmSn纳米颗粒紧密锚定到碳基底上,从而使MmSn纳米颗粒更难在长期循环过程中相互粉碎和团聚。此外,M-C或S-C键合可以显著提高材料的Na+吸附能力,进一步提高材料的储钠动力学。
此外,研究发现,无论金属硫化物或金属硒化物阳极如何,使用铜箔作为集流体时的钠储存过程有两个相同的过程:充放电平台的剧烈变化和循环开始时放电容量的缓慢攀升。这些现象与我们的固有经验不符,即金属硫化物/硒化物的比容量在循环过程中应该趋于衰减。通常,研究人员将这一过程归因于“活化过程”,例如晶粒细化和活性位点的活化,而没有详细探讨具体的本质原因。最近,一些研究人员发现,这种现象与Cu集流体的驱动作用密切相关。研究指出,Cu集流体参与金属硫族化合物的电化学反应,并在一定程度上取代初始金属硫族化合物中的金属离子,产生新的反应性物质(如Cu2S或Cu2SSe)。尽管取得了如此长足的进步,但目前的研究还不能清楚地阐述Cu物种在电极材料中的存在状态,这一过程的具体机理有待进一步深入探讨。
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文 章 简 介
近日,西北师范大学彭辉、马国富教授等通过一步高温硫化-碳化金属-有机框架(Cu-BTC)策略,实现了氮掺杂碳中原位限域生长富集Cu空位的Cu1.96S纳米颗粒(Cu1.96S@NC)并用作高性能的钠离子电池负极材料。在此过程中,Cu1.96S@NC中形成了稳健的S-C键,既可以缓解电极材料的体积膨胀和结构塌陷,又可以提高电极材料对Na+的吸附和输送能力。此外,通过使用不同的金属集流体(Cu、Al和Ti),探讨了Cu集流体驱动的取代反应对Cu1.96S@NC优异的储钠性能的贡献。经证实,Cu集流体中的Cu物质最初以Cu2S量子点的形式进入电极材料,独特的小尺寸效应和丰富的边缘活性位点增强了Cu1.96S的能量储存能力。
基于上述特点,Cu1.96S@NC在0.2 A g−1时表现出608.56 mAh g-1的高首次放电容量并伴随着75.4%的首次库仑效率,具有出色的倍率性能和长循环耐久性。此外,以Cu1.96S@NC阳极和Na3V2(PO4)3@C阴极组装的全电池表现出优异的长期循环稳定性,显示出其实际应用潜力。其成果以题为“Efficient Sodium Storage in Cu1.96S@NC Anode Achieved by Robust S─C Bonds and Current Collector Self-Induced Forming Cu2SQuantum Dots”在国际知名期刊Small上发表。
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本 文 要 点
要点一:Cu1.96S@NC的结构表征
使用了Cu(NO3)2·3H2O作为金属离子源和H3BTC作为有机配体,采用溶剂热法制备了高分散性的八面体金属-有机骨架(Cu-BTC)作为氮掺杂碳前驱体。在随后的硫化-碳化过程中,Cu-BTC中的金属位点转化为Cu1.96S,同时将有机配体原位热解,形成氮掺杂碳骨架。Cu1.96S@NC在硫化-碳化过程后,基本保持了Cu-BTC原有的八面体形貌,没有明显塌陷,表面变得粗糙,Cu1.96S纳米颗粒均匀地固定在碳基底上(图1c,d)。其中,S粉与前驱体的混合和热解过程在Cu1.96S和碳基底之间产生了大量的S-C键。
图1. (a)合成Cu1.96S@NC复合材料的示意图。(b,c)SEM图像,(d,e)TEM图像,(f)HRTEM图像,以及(g)相应的HAADF-STEM 图像和EDS元素图谱,(h)Cu1.96S和Cu1.96S@NC的XRD图谱,高分辨率XPS谱图(i)Cu 2p,(j)S 2p,(k)N 1s。
要点二:密度泛函理论(DFT)计算
为了探讨在Cu1.96S@NC结构中引入碳基底(NC)和形成S-C键对Cu1.96S储钠的影响,我们利用密度泛函理论(DFT)计算比较了Cu1.96S@NC和Cu1.96S的各种参数。可以看出,与Cu1.96S相比,具有强S-C键的Cu1.96S@NC具有更高的转移电荷密度,这证明了强S-C键能有效提高Na+的吸附能。此外,还计算了Cu1.96S和Cu1.96S@NC对Na+的吸附能(ΔEabs)(图2c,d)。具有S-C键的Cu1.96S@NC的ΔEabs为-1.43 eV,小于Cu1.96S(-1.23 eV),表明与碳基底引入S-C键增强了对Na+的吸附能力。此外,还研究了Cu1.96S和Cu1.96S@NC的总态密度(TDOS)(图2g)。
在费米能级附近,Cu1.96S@NC中明显观测到比Cu1.96S更高的DOS峰,这表明电导率有所提高。此外,还进一步分析了Cu1.96S@NC和Cu1.96S中S原子或C原子的部分PDOS(图 2h,i)。Cu1.96S@NC中S原子和C原子的能量区间部分交叉和重叠,表明S原子和C原子成功地结合在一起。另一方面,随着碳的引入,整体DOS强度增加并向费米级靠近,这表明Cu1.96S复合碳基底更有利于价带的电子转变,从而提高了导电性。上述结果表明,由于引入了导电碳衬底,Cu1.96S@NC具有S-C化学键固定效应和丰富的活性位点,从而提高了储钠能力,这为Cu1.96S@NC的潜在电化学性能提供了可靠的预测和充分的理论支持。
图2.(a)Cu1.96S@NC和(b)Cu1.96S的差分电荷密度的顶视图和侧视图。(c)Cu1.96S@NC和(d)Cu1.96S的Na+吸附能,(e)Cu1.96S@NC和f)Cu1.96S电荷密度轮廓的二维投影,g)Cu1.96S@NC和Cu1.96S的态密度(DOS)。(h)Cu1.96S和(i)Cu1.96S@NC中S和C原子的分波态密度(PDOS)。
要点三:Cu1.96S@NC的半电池电化学性能
在Cu1.96S@NC的优异结构特征与DFT计算的指导下,将其与对电极Na箔组装成半电池,以评估其电化学性能。Cu1.96S@NC电极在第一个循环中表现出608.56 mAh g-1的高放电比容量,同时具有75.4%的高首次库仑效率。值得注意的是,Cu1.96S@NC在经过最初几个循环的容量衰减后,容量逐渐增加,100个循环后容量上升到447.69 mAh g-1。许多报告都指出,循环开始时容量上升的时间较长,这似乎是过渡金属硫化物所特有的特性。图3c显示了Cu1.96S@NC电极在0.2 A g-1下的GCD曲线。可以发现,充放电平台的前几个周期与 CV 曲线中的氧化还原峰电位一致。随着循环的进行,充放电平台出现了较大的变化,这与dQ/dV曲线的变化规律一致。因此,可以确定活性材料在循环过程中一定会发生某些转变,这可能是循环过程中容量上升的主要原因。除此之外,得益于碳基底支撑的Cu1.96S@NC结构中具有强大的S-C锚定键合,Cu1.96S@NC电极在5 A g-1下可稳定循环2000次,循环后仍能保持375.58 mAh g-1 的高放电比容量,容量保持率高达89.7%
图3.(a)扫速为0.1 mV s−1时Cu1.96S@NC的CV曲线。(b)Cu1.96S和Cu1.96S@NC在0.2 A g−1下的循环性能。(c)0.2 A g−1下Cu1.96S@NC不同循环阶段的充放电曲线。(d)Cu1.96S和Cu1.96S@NC在不同电流密度下的速率能力。(e)本工作与以报道的SIBs材料的倍率性能比较。(f)Cu1.96S@NC和Cu1.96S在5.0 A g−1电流密度下的长期循环性能。(g)本工作与已报道SIBs材料的长循环性能比较。
要点四:Cu1.96S@NC的储钠动力学分析
受Cu1.96S@NC优异电化学特性的启发,我们对Cu1.96S@NC进行了一系列动力学测试和分析。图4a显示了Cu1.96S@NC在扫描速率为0.1至2 mV s-1时的CV曲线。随着扫描速率的增加,CV曲线的形状保持稳定,氧化还原峰清晰可见,峰电位没有明显偏移,表明它们具有良好的电化学动力学。此外,Cu1.96S@NC电极在2 mV s-1时的赝电容率达到97.8%(图4c)。高赝电容比表明大量表面氧化还原活性位点的被良好的利用。图4e显示了Cu1.96S@NC的电荷转移电阻(Rct)(23Ω)远低于Cu1.96S(137Ω),这表明NC基底的支撑与S-C键的形成可以显著提高Cu1.96S@NC的导电性。Cu1.96S@NC优异的储钠性能和快速的反应动力学可归因于NC的高电导率、丰富的孔隙结构和复合材料中的S-C键提供了丰富的储钠活性位点和充足的电解质与电极接触面积,以及表面碳层的结构保护,这大大加快了Na+的传输速度并促进了电极结构的稳定性(图4h)。
图4.(a)Cu1.96S@NC电极在不同扫描速率下的CV曲线,(b)不同扫描速率下的Log(i)和Log(v),(c)Cu1.96S@NC在2.0 mV s−1下的赝电容贡献,(d)Cu1.96S@NC在不同扫描速率下的赝电容贡献直方图,(e)Cu1.96S@NC和Cu1.96S的Nyquist图(插图为相应的等效电路),(f)电极的GITT测试条件,(g)Cu1.96S@NC和Cu1.96S的GITT曲线和相应的lg DNa+值,(h)Cu1.96S@NC用于快速Na+存储的结构优势示意图
要点五:Cu1.96S@NC的非原位机理表征
图5. (a)Cu1.96S@NC的第二次放电/充电曲线;(b)Cu1.96S@NC在第二次放电/充电循环期间的非原位XRD图谱;Cu1.96S@NC在(c)放电至0.3 V,(f)充电至2.5 V时的非原位 HRTEM、(g)SAED和(h)EDX元素图谱,(i)放电/充电循环期间Cu2-xSe晶体演变示意图。
为了更深入地了解Cu1.96S@NC的电化学反应机理,我们利用非原位XPS、XRD和HRTEM系统地研究了Cu1.96S@NC电极在Na+嵌入和脱出过程中的结构转变和相变。图5a-c显示了Cu1.96S@NC电极在不同充放电状态(初始状态、放电至 0.01 V 和充电至3 V)下的Cu 2p、S 2p和C 1s 非原位XPS光谱。放电至0.01 V后,出现了Cu0峰,对应于转换反应中生成的Cu。充电至3 V后,Cu0的比值相应降低,验证了Cu1.96S@NC良好的电化学可逆性。此外,当电极放电至0.01 V时,S 2p3/2和Cu-S的峰值明显下降,而S-O的峰值急剧上升并出现了SO42-,这可能是由于Na2S被氧化并形成了少量的Na2SO4。而充电到3 V后,S 2p3/2和Cu-S的峰明显恢复,S-O峰的强度相应减弱,SO42-峰消失。图5d显示了Cu1.96S@NC在第一个循环中不同终止电化学状态下的充放电曲线和原位 XRD 图。初始电极的衍射峰证实了Cu1.96S物相在电极箔制备过程中趋于稳定。
随着放电过程的进行逐渐转化为了Cu和Na2S相(23.3° vs 38.9°)在随后的充电过程中,Na2S相逐渐消失(由于Na2S和Cu1.96S衍射峰重叠,39°附近的衍射峰没有消失),Cu1.96S相的衍射峰相应增强,这进一步说明了Cu1.96S@NC在循环过程中的可逆转化过程。图5e显示了Cu1.96S@NC放电至0.01V时的HRTEM图像,其中检测到Na2S和Cu,这与原位XRD结果完全一致。充电至3 V后,在图5g的HRTEM中可以发现晶格间距≈0.17和0.274 nm,对应于Cu1.96S的(212)和(103)晶面,表明完全充电后Cu1.96S相得到了很好的恢复。这进一步证明了Cu1.96S@NC的高电化学可逆性和结构完整性。
要点六:Cu集流器驱动电化学反应的研究
为了研究Cu集流体对电化学过程产生驱动作用的具体机制,我们重点研究了不同集流体的Cu1.96S@NC电极在0.2 A g-1条件下第2-20个循环的dQ/dV等高线(图6g-l)。使用Al和Ti集流体的Cu1.96S@NC电极峰值的总体趋势相似。然而,基于铜集流体的Cu1.96S@NC电极在放电过程中,在2 V附近的Cu1.96S相中代表Na+插层的特征峰逐渐消失,在1.5 V出现了一个新峰(图 6g)。代表充电过程中形成Cu1.96S相的2.2 V特征峰逐渐消失,在1.8 V附近出现了一个新的特征峰(图 6j)。这些现象表明了一种共同的可能性:在循环过程中,Cu1.96S随着铜集流体的驱动过程发生了相变,生成了另一种硫化物。
dQ/dV等高线图中代表硫化物统一储钠反应(NaxCuySz→2Cu+x/2Na2S,yCu+x/2Na2S→NaxCuySz)的特征峰没有消失,以及有关Cu1.96S相电化学过程的特征峰消失,进一步说明了这一点。根据上述分析,我们推测由于放电产物Na2S的晶体结构更接近于Cu2S的晶体结构,而Cu2S和Cu1.96S具有相同的化学计量比,这导致Na2S和Cu物种在充电过程中更倾向于生成结构相似的Cu2S。
图6. 循环前(a,b)和循环后(c,d)铜箔的厚度测试和扫描电镜图像。循环前(e)和循环后(d)铜箔表面的原子力显微镜图像。Cu1.96S@NC在不同电流收集器上前20个循环的(g-i)放电过程和(j-l)充电过程的dQ/dV等高线。
为了更深入地探索硫属转化型阳极中Cu集流器驱动电化学过程的普遍性以及活性材料中Cu2S的存在状态,我们使用商用升华硫作为活性材料涂覆在Cu箔上,制备了S@Cu电极。与之前一样,S@Cu的放电容量也经历了短暂的下降,然后逐渐攀升的现象。更有趣的是,图7b中充放电曲线也出现了同样的急剧变化,这促使我们进一步研究。图7c,d显示了S@Cu电极前20个周期的dQ/dV等高线。可以看出,它与Cu1.96S@NC的情况类似,在放电/充电过程中,分别在1.5/1.8 V处出现新的峰值,同时峰值部分消失,这进一步证实了我们关于Cu2S生成的推断。基于这一猜想,我们对循环后的电极片进行了XRD测试。30个循环后S的衍射峰完全消失,同时出现了Cu2S和Na2S的衍射峰(图7e)。
在S@Cu经过30个循环后的高分辨率Cu 2p和S 2p光谱中(图 7f),出现的Cu 2p3/2和Cu 2p1/2的峰值表明Cu2S的生成。令人惊讶的是,S@Cu电极的HRTEM显示了大量晶格间距≈0.198 nm的Cu2S量子点。由于其独特的小尺寸效应,极大地增强了电极与Na+的结合能力,提高了电极的电导率,这为异常容量增长现象提供了完美的理论支持,也解释了循环过程中充放电平台的剧烈变化。
图7.(a)S@Cu电极在0.2 A g-1条件下前 30 个循环的循环性能。(b)S@Cu电极在0.2 A g-1条件下前20个循环的GCD曲线。(c,d)S@Cu电极在前20个循环的dQ/dV等高线图。(e)30次循环后S@Cu电极的XRD图。(f)30次循环后S@Cu电极的Cu 2p和S 2p的高分辨率XPS光谱。(g,h)循环后S@Cu电极的HRTEM图像。
要点七:全电池电化学性能
基于上述理论基础,为了进一步评估Cu1.96S@NC阳极的应用潜力,我们使用商用 Na3V2(PO4)3@C(NVP@C)作为阴极组装了Cu1.96S@NC//NVP@C SIB,并测试了其在无预钠化下的电化学性能。图8c显示了Cu1.96S@NC//NVP@C SIB 在0.1 A g-1条件下前三个周期的GCD曲线。其初始充放电容量为355/340 mAh g-1,ICE为95.7%。此外,Cu1.96S@NC//NVP@C SIB在0.5 A g-1的条件下可实现750个周期以上的稳定循环性能,并能轻松、持续地点亮 LED 指示灯(图 8d)。如图8e所示,Cu1.96S@NC//NVP@C 的循环性能优于之前许多基于过渡金属硫化物的SIB。此外,Cu1.96S@NC//NVP@C SIB还能在791.7 W kg-1的功率密度下获得310 Wh kg-1的可观能量密度,超过了其他类型的储能器件,这表明 Cu1.96S@NC//NVP@C SIB 具有良好的储能应用潜力。
图8. (a)Cu1.96S@NC//NVP@C 全SIB的示意图。(b)SIB的倍率性能。(c)SIB在0.1 A g-1下的前 3个循环充放电曲线。(d)Cu1.96S@NC//NVP@C 全SIB的长期循环性能(插图:由SIB供电的LED)。(e) Cu1.96S@NC//NVP@C SIB与已报道的SIB的循环性能比较。
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研 究 结 论
综上所述,以八面体金属有机骨架(Cu-BTC)为前驱体,采用一步高温硫化和碳化策略将Cu1.96S纳米颗粒原位限制在氮掺杂碳具有稳健S-C键的Cu1.96S@NC复合材料。电化学测试和DFT理论计算都表明,Cu1.96S@NC中形成的稳健的S-C键不仅可以缓解嵌入碳基底的Cu1.96S纳米颗粒的体积膨胀和结构塌陷,还提高了Cu1.96S@NC在循环过程对Na+的吸附和传输能力。此外,XRD和HRTEM结果都证实,Cu集流体中的Cu物种最初以Cu2S量子点的形式进入电极材料,其独特的小尺寸效应和丰富的边缘活性位点增强了Cu1.96S的储能能力。因此,Cu1.96S@NC在0.2 A g−1时的初始放电容量高达608.56 mAh g−1,初始库仑效率为75.4%,可提供出色的倍率性能和长达2000次循环的耐久性。此外,由Cu1.96S@NC阳极和商业Na3V2(PO4)3@C阴极组装的全电池在0.5 A g−1下稳定循环750次,揭示了其实际应用的潜力。本研究为构建高性能过渡金属硫化物负极提供了理论支持,并深入了解了其储钠机理。
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文 章 链 接
Hui Peng‡*, Wenxing Miao‡, Shuzhen Cui, Zhiyuan Liu, Bo Tao, Wenbo Hou, Guofu Ma*, Ziqiang Lei. Efficient Sodium Storage in Cu1.96S@NC Anode Achieved by Robust S-C Bonds and Current Collector Self-Induced Forming Cu2SQuantum Dots Small, 2024, 2404957.
https://doi.org/10.1002/smll.202404957
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通 讯 作 者 简 介
彭辉,西北师范大学云亭青年教授。主要从事新能源材料、生态功能材料方面的研究工作,包括特殊结构导电聚合物纳米材料、聚合物基低维碳纳米材料、多功能凝胶电解质的制备及新型电化学储能器件的设计和组装研究。迄今,在Energy Storage Mater.、Adv. Funct. Mater.、ACS Nano、Chem. Eng. J.、Small等国际知名期刊第一作者/通讯作者发表SCI论文80余篇。近年来,主持国家自然科学基金项目2项,甘肃省杰出青年基金项目1项,甘肃省教育厅产业支撑计划项目1项等。荣获甘肃省自然科学二等奖(2015年)和甘肃省自然科学三等奖(2022年)等。
马国富,西北师范大学教授,博士生导师,现任生态功能高分子材料教育部重点实验室副主任。主要从事环境友好功能材料相关研究,包括:生态保持及修复材料、电化学能量转化及储存材料。先后在Adv. Funct. Mater.、Energy Storage Mater.、ACS Nano、J. Mater. Chem. A、Small等学术期刊发表SCI收录论文100余篇,获授权发明专利10余件;科技成果鉴定、评价4项。主持国家自然科学基金3项,中央引导地方科技发展资金项目1项,甘肃省基础研究创新群体项目1项等。荣获2014年甘肃省高校科技进步一等奖,2015年甘肃省自然科学二等奖,2022年甘肃省自然科学三等奖。2022、2023年入选斯坦福大学发布的材料科学、能源技术全球前2%顶尖科学家终身成就榜单。
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