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解决Si电极稳定性与导电性问题:CBPOD涂层技术的多重优势

解决Si电极稳定性与导电性问题:CBPOD涂层技术的多重优势 科学材料站
2024-09-10
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导读:优化Si电极稳定性:高导电性核壳结构的碳化联苯-聚噁二唑创新应用



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文 章 信 息


四川大学喻媛媛与姜猛进教授AEM: 用于实现优异锂存储的氮/硫共掺杂碳骨架硅负极多功能涂层

第一作者:喻媛媛

通讯作者:张军华,姜猛进

单位:四川大学高分子科学与工程学院



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研 究 背 景


为解决硅电极在充放电过程中尺寸变化大,电导率低,颗粒粉碎等瓶颈问题,通常通过引入碳涂层来重构硅的表面,进而稳定Si电极。理想的涂层层应具备多重功能。首先,碳涂层应作为支撑基体,提供机械增强,并减轻体积膨胀带来的有害影响。通过包覆Si颗粒,碳涂层有助于保持结构完整性,防止电极粉化。其次,碳层作为屏障,可以防止底层Si颗粒与电解质直接接触,从而稳定SEI层并减缓不可逆容量损失。此外,碳层应形成贯穿整个电极的连续导电网络,改善Si的固有低导电性。这种导电框架有助于快速电子传输,确保有效的充放电动力学。最后,增强的导电性转化为更高的功率能力并提升电池的整体性能。

然而,目前大多数用于Si改性的碳基材料缺乏活性极性基团,与Si的相互作用较弱,且Si与涂层材料之间的界面较为脆弱。此外,惰性表面会导致Li⁺和电子传输延迟,增加阻抗并降低倍率性能。更有甚者,涂层厚度和电化学性能之间存在权衡。大多数报道的碳涂层Si复合材料具有较厚的涂层,尽管其提供了增强的机械稳定性和电解质兼容性,但却会阻碍锂离子扩散,导致比容量和倍率能力下降。最后,Si颗粒与碳层之间的“点对点”有限表面接触最小化了离子和电子的传递。解决这些碳涂层现存问题是解锁Si负极潜力、实现其作为下一代高性能LIBs电极承诺的关键步骤。



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文 章 简 介


在本研究中,我们构建了一个核壳结构的Si复合材料,以实现高性能Si基负极,其中所得到的层状碳化联苯-聚噁二唑(CBPOD)均匀地包覆Si颗粒(称为Si-CBPOD),作为坚固的机械骨架和连续导电框架。本工作引入了一种新颖的Si负极设计方法,采用面对面涂层策略,通过原位聚合实现硅上的羟基与BPOD上的磺酸酯化反应。在碳化过程中,该过程形成了牢固的化学键(Si-C、Si-O-C、Si-N-C),增强了整体完整性,防止Si颗粒与电解质直接接触,并提供保护位点防止团聚——不同于传统的物理涂层方法。通过在600°C较低温度下实现部分碳化获得高导电性,我们的方法保持了CBPOD涂层的机械完整性。这种独特的共轭主链结构在碳化后形成了清晰的微观结构,确保了高导电性,无需厚碳层,从而保持了负极的高比容量。此外,CBPOD优异的机械性能使得碳含量仅为13%的情况下仍能提供3337.6 mAh g⁻¹的高比容量,具有出色的循环稳定性和倍率性能。通过简便的提取工艺整合出简单高效的多孔结构,结合氮和硫的共掺杂,进一步增强了锂离子传输,使该方法成为推进高能量密度Si负极的创新性综合解决方案。



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文 章 内 容


1. 材料合成与结构表征

Si-BPOD通过BPOD的原位聚合制备而成。随后,将复合材料在氮气保护下于管式炉中碳化,得到Si-CBPOD,在此过程中形成了氮和硫共掺杂的导电框架,并在该框架与Si表面之间构建了强力化学键。因此,Si颗粒被具有孔隙的导电层状CBPOD均匀包覆。由于CBPOD优异的机械性能和坚固的界面,即使经过长时间循环,Si-CBPOD仍能保持完整性而不发生破碎和粉化。相比之下,未经过此保护层的原始Si颗粒在反复锂离子嵌入/脱出过程中会出现破碎和脱落。此外,在1,4-二氧六环萃取后产生了大量孔隙,这些孔隙可为Li⁺提供更多的扩散通道。然而,过度多孔的涂层不能有效钝化电解质与Si之间的界面,从而稳定SEI膜。热解过程会导致碳原子的重新排列和孔壁重建,从而最终减少孔隙率。制备的具有适当孔隙度的Si-CBPOD在Li⁺扩散通道与保护效果之间保持最佳平衡。

众所周知,导电聚合物通常由高阶分级结构组成,具有刚性棒状链,多条链通过π-π堆叠排列整齐。具有有序分级结构的刚性聚合物促进电子传输,但无法与Si发生相互作用。各种极性基团已被引入这些导电聚合物结构中,以增强分子表面活性和极性。具有丰富极性基团(如羧基、羟基、氨基、醛基和磺酸基)的改性聚合物可通过氢键与Si相互作用。然而,这些大型官能团通过引入空间位阻往往阻碍链的堆叠,削弱了有序结构的构建,导致无定形态。因此,引入官能团会牺牲聚合物的导电性,通常需要额外的添加剂或工程过程来增强其在能量设备中的性能。此外,这些极性基团要么增强溶剂溶解性,要么导致在电解液中的膨胀,进而在充放电过程中引起结构不稳定,长时间内可能带来潜在问题。

碳化是一种增强有序结构和抑制膨胀效应的有效方法。去除这些大基团后,空间位阻可被消除,使链条更紧密,有利于π-π堆叠。此外,在碳化过程中,一些杂原子掺入聚合物中,提供更多的Li⁺存储位点,并进一步促进电子传输。同时,与氢键相比,这些极性基团可在高温下与Si表面的羟基形成更强的化学键。最终,碳化聚合物不溶且不膨胀,有望在长时间循环中保持耐久性。因此,我们使用了含有丰富磺酸基的改性导电BPOD包覆Si颗粒,然后对复合材料进行煅烧,以生成有序掺杂结构、构建强大的化学键界面,并开发出电解质不膨胀、机械坚固且持久的碳框架,为锂存储提供超稳定的Si-CBPOD负极。不像其他电化学惰性涂层材料,它们会产生迟滞的Li⁺和电子传输,导致阻抗增加和倍率能力下降,氮/硫共掺杂和多孔结构的CBPOD不仅可以提供丰富的Li⁺存储位点,还能通过化学键合及其导电性增强电子传输。

图 1. (a) Si-CBPOD 复合材料的制备过程示意图。(b) 导电聚合物的化学和形貌演变。

图2. 基于可控热碳化过程的导电BPODs的化学和形态演变。

图3. 硅电极在热解过程中界面变化的表征


2. 硅电极的电化学性能分析

图4. 未包覆Si和Si-CBPOD电极的电化学性能评估

图5. CBPOD改性硅负极机理探索



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结 论


总结来说,我们开发了一种多孔的氮/硫共掺杂碳层,用于均匀包覆硅,作为一种多功能保护涂层以稳定负极。CBPOD涂层不仅能钝化电极/电解质界面,还能有效减轻硅颗粒在充放电过程中体积膨胀。增强的分子间耦合作用促进了扩展有序区域的形成,从而提高了电子传输。氮/硫共掺杂的框架赋予CBPOD丰富的活性位点和适当的孔隙度,改善了锂离子反应的动力学。电子和离子导电性的协同效应显著提升了Si-CBPOD复合材料的倍率性能。此外,碳化工艺提高了CBPOD的弹性模量,并重建了Si与CBPOD之间的界面,形成强化学键,增强了机械保护,同时促进了均匀的电荷传输和加速了离子迁移。因此,Si-CBPOD电极在半电池中即使在4 A g⁻¹的电流密度下,也能在1000次循环后保持高达1110.8 mAh g⁻¹的可逆容量,并在0.2 C下经过300次循环后达到令人印象深刻的574 Wh kg⁻¹的能量密度和超过75.6%的高容量保持。这些性能指标超越了大多数已报道的结果。本研究为下一代电池提供了高体积能量密度和长期循环稳定性的负极材料制备的见解。



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文 章 链 接


Robust Nitrogen/Sulfur Co-Doped Carbon Frameworks as Multifunctional Coating Layer on Si Anodes Toward Superior Lithium Storage. Adv. Energy Mater. 2024, 2403086.

https://doi.org/10.1002/aenm.202403086



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通 讯 作 者 简 介


姜猛进,男,教授,博士生导师,主持承担有教育部博士点基金、国家自然科学基金、国家重点研发计划、四川省先进材料重大科技专项、四川省重点研发项目及多项企业合作项目。已发表科研论文80余篇,其中SCI收录40余篇;申请专利24项,其中已授权18项。通过研究,团队在水凝胶聚合物电解质、聚合物单离子导体、导电聚合物负极粘结剂、高比能水系超级电容构建等领域取得了众多突破,在Progress in Energy and Combustion Science,Advanced Energy Materials, Nano Energy,Journal of Materials Chemistry A,Small, ACS applied materials & interfaces等杂志发表了多篇高水平研究论文。课题组目前主要研究方向:①高性能纤维成型工艺及设备研究与开发;②聚合物新能源材料与器件。各位有志于我国高性能纤维材料发展突破的同学,以及对聚合物新能源材料与器件有强烈兴趣与爱好的同学,欢迎报考并加入我们的研究团队!



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第 一 作 者 简 介


喻媛媛,女,2022级博士研究生,博士期间研究方向为导电聚合物的制备与改性及锂离子电池电化学性能的研究。她是一位热情、自信且勤奋的研究人员,在先进高分子材料、碳材料、电化学和电池设计领域拥有丰富且持续的研究成果。目前在Advanced Energy Materials, Nano Energy, Small, Journal of Materials Chemistry A, Chemical Engineering Journal, CCS Chemistry和Chinese Chemical Letters等杂志发表了SCI论文18篇,申请专利8项。

姓名:喻媛媛                       

单位+所在学院:四川大学 高分子材料与科学学院

        

邮箱:yuyuanyuan150@163.com


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