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万初斌教授,ESM:Ce调控局域结构与电子结构以抑制锰基NASICON正极材料的电压滞后

万初斌教授,ESM:Ce调控局域结构与电子结构以抑制锰基NASICON正极材料的电压滞后 科学材料站
2026-02-04
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导读:万初斌教授,ESM:Ce调控局域结构与电子结构以抑制锰基NASICON正极材料的电压滞后



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文 章 信 息


Ce调控局域结构与电子结构以抑制锰基NASICON正极材料的电压滞后

第一作者:张贺祥

通讯作者:万初斌* 吴渊*

单位:北京科技大学


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研 究 背 景


NASICON型正极材料凭借坚固的晶体框架、优异的钠离子导电性,且兼具成本低廉、环境友好的优势,成为下一代钠离子电池正极的核心候选材料。其中,Mn基NASICON材料因能实现多电子氧化还原反应、能量密度可媲美钒基体系,且规避了钒的毒性与高成本问题,更具实用潜力。然而,Mn 基 NASICON 材料存在亟待解决的固有瓶颈:本征反位缺陷(IASDs)导致 Mn 离子占据 Na 位点,阻塞钠离子扩散通道;高自旋 Mn3+易引发 Jahn-Teller 畸变,破坏 MnO6八面体对称性;这些问题共同引发显著的电压滞后(如 NMTP 在 2.5V 出现额外放电平台),导致电池循环稳定性差(2C 循环 500 次容量保持率仅约 50.3%)、能量效率降低,严重阻碍其商业化进程。现有掺杂策略虽有探索,但稀土元素独特的电子结构调控优势尚未充分挖掘。本篇研究聚焦上述核心痛点,创新性地采用稀土 Ce 掺杂策略,通过 Ce 的高局域化 4f 电子结构调控局域晶格与电子环境,实现对电压滞后、反位缺陷及 Jahn-Teller 畸变的协同抑制。本文深入揭示了 Ce 掺杂的改性机理与成效,为 Mn 基 NASICON 材料的性能突破提供了全新思路,助力推动其在下一代低成本、高稳定性储能系统中的实用化进程。



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文 章 简 介


近日,北京科技大学万初斌教授团队在国际知名期刊Energy Storage Materials上发表题为“Ce-Induced Optimization of Local Lattice and Electronic Structure Suppresses Voltage Hysteresis in Mn-Based NASICON Cathodes”的文章。该文章分析了Mn基NASICON结构中常见的固有反位缺陷问题,并提出用少量稀土元素Ce掺杂调控缺陷,以达到抑制电压滞后增强离子导电性的目的。

图1 Ce调控局域结构调控与电子结构以减少IASDs缺陷形成,抑制电压滞后



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本 文 要 点


要点一:材料本征反位缺陷与电压滞后问题

Mn基NASICON材料(如NMTP)存在固有本征反位缺陷(intrinsic antisite defects,IASDs),即Mn离子占据Na离子位点,直接阻塞Na+扩散通道,该问题会导致材料充放电过程中出现明显电压滞后(如NMTP在2.5V的额外放电平台)。这种电压滞后会显著拉低材料的平均放电电压,造成能量效率与能量密度的同步损失,同时加剧极化、恶化反应动力学,并在长期循环中诱发结构应力累积和性能快速衰减,从而严重制约其实际应用。针对以上问题:引入稀土元素掺杂(Ce3+)调控电子结构,通过收缩Mn-O键以稳定MnO6八面体;并实现晶格刚性的整体优化。结合 DFT 计算结果,Ce掺杂后的IASDs的形成能显著提高(NMCTP较NMTP提升1.05eV),抑制了 Mn 离子的反位迁移行为,从而实现对缺陷演化的有效调控。该策略在缺陷调控、电子结构优化与晶格稳定性增强之间构建了协同机制,为抑制电压滞后提供了明确的材料设计思路。

图 2 Ce 掺杂 Mn 基 NASICON 材料的晶体结构、电子态及形貌特征表征

图3 Ce 掺杂对 Mn 基 NASICON 材料的电压滞后抑制及电化学性能提升表征


要点二:离子扩散与动力学优化

由于本征反位缺陷(IASDs)的存在,在未掺杂Mn基NASICON中Mn占据Na位缺陷与Jahn-Teller畸变协同诱发局域晶格畸变,造成Na+迁移通道收缩甚至中断。使离子扩散势垒升高并形成明显的动力学瓶颈。Ce 掺杂通过稳定晶格骨架并有效抑制Jahn–Teller畸变,拓宽并连续化Na+扩散通道,显著降低Na+迁移势垒。同时Ce的引入调控局域电子结构,降低带隙宽度并削弱缺陷态强度,从而提升电子电导率。上述结构电子结构的协同优化最终实现了Mn基NASICON正极材料整体反应动力学的显著提升。

图 4 电化学动力学表征:Ce 掺杂对 Mn 基 NASICON 材料 Na+扩散及电传输动力学的增强作用

图5 DFT&AIMD计:算Ce 掺杂对 Mn 基 NASICON 材料电子结构、Na+扩散系数及缺陷形成能的调控


要点三:结构稳定性与循环寿命提升

锰基 NASICON 材料在 Na⁺反复嵌脱过程中,存在显著的相转变滞后、体积形变与反应迟滞现象,这会诱发结构退化与容量衰减。而 Ce 掺杂通过稳定 MnO6八面体的局域构型,使材料充放电过程中的体积变化率降至约 1.64%,同时促进 Na3-Na2相转变过程完全可逆进行,有效消除相共存引发的动力学不对称与性能衰减,保障反应充分进行。此外,Ce-O 键的强离子键特性增强了晶体骨架的整体刚性,抑制了循环过程中的结构弛豫与框架塌陷,进而显著提升了材料的长期循环稳定性与寿命表现。

图6 原位 XRD 与半原位 XAS 表征:Ce 掺杂对 Mn 基 NASICON 材料结构可逆性及循环稳定性的提升



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文 章 链 接


Ce-Induced Optimization of Local Lattice and Electronic Structure Suppresses Voltage Hysteresis in Mn-Based NASICON Cathodes

https://doi.org/10.1016/j.ensm.2026.104918



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通 讯 作 者 简 介


万初斌,北京科技大学数理学院副院长、教授、博士生导师。重点关注固态储氢材料、新型金属离子电池的储能机理研究,及中子散射、同步辐射等核技术在能源材料上的应用。目前已在Advanced Functional Mateials、Nano Energy、J. Materials Chemistry A、J. Power Sources等期刊发表SCI论文100余篇,引用1400余次。主持国家自然科学基金、重大专项(子课题)、重点研发(子课题)、科技部外国专家等项目。担任中国核学会核测试与分析分会理事、中国材料学会极端条件分会青年委员、中国稀土学会第七届理事会专家库。


吴渊,北京科技大学数理学院院长,研究员、博士生导师,国家杰出青年科学基金获得者。主要从事非晶合金、高熵合金等新金属材料的智能设计、高效制备及原子级表征研究,揭示其力学、物理行为的多尺度机制并建立结构-性能关联模型。在Nature,Physical Review Letters, Advanced Materials等学术期刊上发表论文200余篇,SCI他引10000余次,获国家自然科学二等奖2项(2/5,4/5),教育部自然科学一等奖和二等奖各1项。


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