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DRAM正式跨足EUV世代,NAND Flash150层叠堆技术再升级

DRAM正式跨足EUV世代,NAND Flash150层叠堆技术再升级 信维科技
2020-10-14
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近期,全球市场研究机构TrendForce集邦咨询针对2021年科技产业发展,整理了十大科技趋势。针对存储器产业,集邦咨询预计,DRAM正式跨足EUV世代,NAND Flash150层叠堆技术再升级。


2021年三大DRAM厂:三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)除了持续往1Znm、1 alpha纳米制程转进外,三星(Samsung)将率先跨入EUV世代,缓步取代现有的double patterning技术,以提升成本结构与生产效率。


2020年NAND Flash叠堆技术突破100层后,2021年继续往150层以上推进,单晶片容量也将自256/512Gb推进至512Gb/1Tb,透过成本改善吸引客户将容量升级。在储存界面上,PCIe Gen 3已成主流,PCIe Gen 4随着新游戏主机搭载以及英特尔新平台的采用,预计市占率将自2021年起攀升,满足高端PC、server、data center高速运算需求。


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