88NV1140是Marvell发布的业内首款支持HMB特性的SSD控制器，这款新型控制器搭载了基于NVMe 1.2协议的HMB（主机存储缓冲器）新特性，使得SSD可以将系统RAM用于自身目的，此举很可能会彻底改变制造商设计SSD的方式，国际媒体对此展开了一场大讨论，小美精选了一部分，一起来看看～
Marvell发布HMB SSD控制器，NVMe 1.2重新定义SSD设计标准
报道来源：Tom's Hardware 作者：Paul Alcorn
在空间受限的移动环境中，元件微型化是一项永无止境的事业，存储也不例外。HMB设计有可能会出现在专门针对移动和嵌入式应用设计的控制器上，比如Marvell的新型88NV1140 SSD控制器。88NV1140可提供接近常规DRAM嵌入式SSD的性能，支持我们期望尖端SSD控制器具备的所有先进功能。
借助Marvell的NANDEdge LDPC算法，供应商可以从TLC（包括15nm）和3D NAND中获得最大的耐久性，这是降低成本的另一个关键因素。利用大量DRAM弥补TLC型SSD的性能损失，这是一个完美的协力优势。88NV1140控制器还支持3D NAND，采用双核Cortex R5处理器。
控制器运用板载SRAM（无DRAM型SSD中的另一常见额外配置）和硬件加速器来提升性能。Marvell的这款控制器采用低功耗28nm工艺制成，同时支持NVMe 1.2中增加的新型L1.2电源管理特性。
Marvell实现面向DRAM-less型88NV1140 SSD控制器的主机存储缓冲器
报道来源：ANANDTECH 作者：Billy Tallis
DRAM-less型SSD在没有充足RAM的情况下，很难实现高性能。即便借助精巧的固件，DRAM-less型SSD能在仅采用片上缓冲器的情况下从容应对各种情况，但仍然处于劣势,这正是HMB特性的用武之地。
由于88NV1140上只有两个NAND通道，因此，即使在最佳情况下，也很可能不会使PCIe 3.0 x1链路达到饱和状态,这样就有了可供主机系统其他传输操作使用的额外带宽。PCIe和主机DRAM访问操作耗时仅需数十或数百纳秒，闪存读取操作则为数十微秒，因此，HMB的速度显然足以满足低端驱动器的需求。
Marvell展示支持NVMe 1.2主机存储缓冲器(HMB)的88NV1140 SSD控制器
报道来源：The SSD Review 作者：Scot Strong
HMB是NVMe 1.2修订版特性，使DRAM-less的SSD能利用主机存储器实现DRAM嵌入式SSD设计的性能，但其功耗和成本都低于后者。Marvell的88NV1140是业内支持HMB特性的首款SSD控制器。
Marvell同步推出以项目代号“Dean”命名的最新款SSD控制器（仍在开发中）,并且与包括金士顿在内的多家OEM制造商开展合作。下图是采用东芝NAND和Dean控制器的2.5英寸金士顿驱动器。
接下来，我们会看到这款2.5英寸驱动器在磁盘性能测试工具Crystal Disk Mark中取得的十分出众的性能数据。
