铠侠宣布全面停产传统2D NAND闪存
国际电子商情讯 市场消息显示，2026年3月31日，存储芯片制造商铠侠正式宣布将退出传统浮栅式2D NAND闪存市场。
此次停产涵盖32纳米至15纳米制程的浮栅式2D NAND，以及第三代BiCS架构的3D NAND产品。涉及SLC、MLC和TLC单元类型，产品形态包括裸晶圆、BGA/TSOP封装、eMMC、UFS及SD卡。客户需在2026年9月30日前提交最终采购预测，产品供应将持续至2028年12月31日。该决定标志着自1987年由东芝首量产的平面NAND架构正式进入生命周期终点。
行业分析指出，停产源于技术演进与市场需求变化。在AI驱动高性能存储需求的背景下，3D堆叠架构已成为主流，其资本效率与规模经济显著优于传统2D方案。主要厂商正将产能集中于TLC/QLC及DRAM等高附加值产品，淘汰低产值的MLC及早期存储产品已成行业趋势。
当前2D NAND主要用于车载设备、工业控制及长寿命特种设备领域。此次调整反映半导体行业在技术升级过程中，对传统应用场景支持模式的结构性转变。
此为铠侠近期系列调整的重要步骤。2026年3月，该公司已率先停产物料受限的TSOP封装MLC产品线（8Gb-64Gb容量），该产品在工控与医疗设备中应用广泛，最终出货截止于2027年3月15日。
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