近日，我司（深圳飞骧科技有限公司，以下简称“飞骧”）向广州知识产权法院和深圳市中级人民法院分别起诉广州慧智微电子有限公司（以下简称“慧智微”）未经许可，制造、许诺销售及销售的多个型号射频功率放大器产品涉嫌侵犯我公司ZL201110025537.X号发明专利权，法院已受理并立案。
一、CMOS前级放大+GaAs后级放大的射频功放架构是飞骧的发明专利。
飞骧在射频功放领域已经有9年的研发和销售历史，前身是2010年成立的国民技术股份有限公司PA产品部，团队和技术一脉相承。飞骧是最早启动4G功放技术研发的国内团队之一，早在2011年1月就申请了ZL201110025537.X号发明专利（以下简称537号发明专利），彼时慧智微尚未成立。该专利于2015年2月获得国家知识产权局授权，2015年9月随着飞骧从国民技术分拆独立，转移归飞骧所有，目前专利仍属于有效期内。
图一 537号发明专利授权说明书附图
537号发明专利授权说明书明确了专利权利项包括：
1）CMOS前级功率放大器，用于对输入功率进行初步放大；
2）GaAs和/或SiGe后级功率放大器，用于对所述CMOS前级功率放大器的输出功率进行放大；
3）该射频功率放大器还包括与所述GaAs和/或SiGe后级功率放大器相连的切换开关，所述切换开关用于作为信号通道开关和/或用于负载阻抗调整，所述切换开关为pHEMT开关、SOI开关、SOS开关中的任意一种或多种的组合。
众所周知，无论是体硅（Bulk CMOS）还是CMOS SOI工艺，均系CMOS工艺，属于537号发明专利的保护范围。同理，无论是GaAs HBT还是GaAs pHEMT，也都是GaAs工艺，属于537号发明专利的保护范围。
二、慧智微的"射频前端可重构技术"和"AgiPAM"涉嫌侵犯飞骧537号发明专利权
慧智微以射频前端可重构技术及对应品牌AgiPAM为主要技术特征。2018年9月第六届国际RF-SOI论坛上，慧智微公开明确说明，AgiPAM即SOI+GaAs的混合工艺结构。
图二 慧智微在2018年9月对于AgiPAM和可重构技术的公开解释
根据慧智微官网的发展历程描述，慧智微2011年11月成立，开始可重构平台AgiPAM研制，于2014年9月研发成功第一款可重构4G射频PA。而飞骧537号发明专利于2011年1月申请，2015年9月获得授权。
因此，从“AgiPAM”和“射频前端可重构技术”的技术特征公开解释，以及该技术研发时间线分析，涉嫌侵犯了飞骧537号发明专利权。
三、慧智微产品S5643和S2916涉嫌侵犯飞骧537号发明专利权。
慧智微在2018年9月第六届国际RF-SOI论坛上，公开指出了其采用了AgiPAM即可重构技术的产品如下：
图三 慧智微公开宣布使用了AgiPAM技术的产品型号
我司选取了图中的S5643和S2916两款产品做分析，发现其芯片电路结构的确采用了飞骧537号发明专利所保护的内容。
图四 S5643外观图
图五 S5643原理框图分析
图六 S5643与537号发明专利权利范围对应关系
S5643产品覆盖4G HB/MB/LB，通过分析其规格书中的原理框图、对比X光照片和开盖照片，我们发现其采用是CMOS SOI工艺+GaAs HBT工艺，如图六所示，共包含三颗芯片，最上面一颗为GaAs HBT工艺芯片，用途为HB/MB后级功率放大，由于在不同频段使用开关切换不同的负载阻抗，使得HB/MB可以共用一颗后级GaAs HBT放大芯片，即“可重构技术”。中间一颗CMOS SOI工艺芯片，用途为CMOS前级功率放大、频段切换开关、阻抗变换开关以及相应的接口和控制功能。最下面一颗为GaAs HBT工艺芯片，用途为LB后级功率放大。
显而易见，S5643的产品设计方案与537号发明专利的保护范围相同，其中HB/MB的可重构技术方案与537号发明专利第三项权利要求相同，整个产品涉嫌侵权。
图七 S2916外观图
图八 S2916与537号发明专利权利范围对应关系
与S5643类似，该产品采用是CMOS SOI工艺+GaAs HBT工艺，其中CMOS SOI芯片，内部集成控制部分、SP16T射频开关和射频功放的前两级，GaAs HBT芯片完成后级功率放大。同样，S2916的设计和封装方法与飞骧537号发明专利的保护范围相同，涉嫌侵权。
四、慧智微所宣传的可重构技术和所销售的产品涉嫌对飞骧537号发明专利权构成全面侵犯，我司呼吁慧智微停止对可重构技术的一切宣传、停止基于可重构技术产品的生产和销售、不再侵犯我司的合法权益并向我司进行合理赔偿。
特此声明。
深圳飞骧科技有限公司
2019年06月01日