Nexperia（安世半导体），分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家，近日宣布推出 PESD2V8R1BSF，这是业内首款专门针对 USB4™ 标准开发的 ESD 保护器件，具有行业领先的 RF 性能。
新款器件采用 Nexperia（安世半导体）的 TrEOS ESD 技术与有源可控硅（SCR）技术，USB4™ 和 Thunderbolt 接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容（低至 0.1 pF），极低钳位电压动态电阻低至（0.1 Ω），以及非常稳健的防浪涌与 ESD 性能（最高可达 20A 8/20 µs）。PESD2V8R1BSF 采用超低电感 SOD 962 封装。
产品经理 Stefan Seider 评论道：
“为避免信号完整性问题，PESD2V8R1BSF ESD 保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗，在 10 GHz 时分别为 -0.21 dB 和 -17.4 dB。该 ESD 保护器件可满足 USB 3.2 的较高电压要求。这意味着，该器件可放置在 USB Type-C ® 连接器后面，用于保护耦合电容，同时仍与 USB 3.2 向后兼容。”
TrEOS 保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的 DSN0603-2（SOD962）封装。这种广泛使用的 0603 外形尺寸能够带来诸多优势，包括电感极低，可提供快速保护，并且可集成到单片电路中，无需焊线，从而减少了机械应力和热应力。
如需了解新款 ESD 保护器件 PESD2V8R1BSF 的更多信息（包括产品规格和数据手册），请访问「阅读原文」。
Nexperia (安世半导体)
Nexperia (安世半导体) 是分立器件、MOSFET 器件、GaN FET 器件及模拟和逻辑器件领域高产能的生产专家，其器件符合汽车工业的严苛标准。Nexperia (安世半导体) 非常注重效率，能持续不断地满足全球各类电子设计基础器件的生产需求：年产量高达 900 亿件。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面已经成为行业基准，拥有业内最小尺寸的封装技术，可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验， Nexperia (安世半导体) 一直为全球各地的领先企业提供优质的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过 11,000 名员工。公司拥有庞大的知识产权组合，并获得了 IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 和 OHSAS 18001 认证。
Nexperia：效率致胜。
