使用 36 V 锂离子电池供电的工具和室外电力设备变得日益常见。这类电池具有良好的功率和电池寿命搭配，同时相对轻便，易于使用。但由于能量密度比较高，因此它们需要高效的电池隔离。Nexperia（安世半导体）的新型 50/55 V 专用 MOSFET 提供必要的安全工作区（SOA）和鲁棒性，同时还提供显著改进的效率和很高的额定功率，外形尺寸为 5*6 mm。
过去几年，使用电池供电的无绳工具和室外电力设备迅猛发展。推动这种趋势的关键因素之一是使用寿命持久的 10 芯 36 V 锂离子电池组的问世。这些电池具有高能量密度，非常适合专业工具，也适合传统有绳设备，甚至是发动机驱动的室外电力设备，例如电锯和割草机。但是，由于能量密度升高，它们更加需要高效的电池隔离。
为了确保任何大量放电都以受控的方式进行，直至电池安全隔离和系统关闭电源，我们需要非常稳定的高热效率 MOSFET。按照标准 MOSFET 电压额定值，对于 36 V 电池，设计人员会使用 60 V MOSFET。但是，对于 36 V 的标称额定值，使用 50 V 或 55 V 的 MOSFET 比较理想。减小 MOSFET 电压额定值，可为优化 SOA、ID 额定值和雪崩能力提供机会，从而提高整体安全性和效率。
维持安全工作区至关重要
出现故障的情况下，当故障导致深度放电时，由于在高电流下电路电感两端产生的电压，电池隔离 MOSFET 通常会进入线性模式。因此，维持稳定的安全工作区至关重要。Nexperia的 MOSFET 技术提供了出色的安全工作区功能，利用 50/55 V ASFET，我们优化了 1 ms 至 10 ms的放电性能。例如，这意味着，PSMN1R5-50YLH 能够在 40 V 电压下处理高达 5 A 的放电，持续 1 ms。
优化雪崩能力
电池隔离 MOSFET 通常放置在远离负载的位置，可能遭受非钳位电感尖峰（UIS）。通过优化VDS电压（50 V），使其更接近电池电压（36 V），可帮助将耗散电能减少至少 20%（与 60 VDS 器件相比），并且可以避免潜在的故障。鉴于典型应用经常在恶劣环境下运行，雪崩事件可能很常见。Nexperia（安世半导体）的 PSMN1R5-50YLH 具有 2000 mJ（在 25 A 电流下）的单相雪崩额定值（EAS），能够反复耐受此类事件。
扩展已经成熟的产品组合
随着这些专用 50/55 V ASFET 的发布，Nexperia 成为率先专门针对 36 V 电池系统提供 50 V 额定值 MOSFET 的公司之一。该产品在 SOA、ID 额定值和雪崩能力方面进行了优化，同时保持良好的导通电阻，为设计人员提供了非常稳定的电池隔离解决方案。它提供业界领先的性能，直流电池额定值为 200 A，计算的硅限制为 312 A，外形尺寸为 5*6 mm，并基于 Nexperia 的成熟电池隔离 ASFET 产品组合构建。
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作者简介
Steven Waterhouse
Steven在Royal Engineers开始他的职业生涯。他在模拟和功率电子元件方面的背景始于Bently Nevada，他在这家公司帮助开发采用便携式电池供电的条件监控和测量产品。在Dedicated Micros，他开发了用于摄像头和数字录像机的电源转换解决方案，这些解决方案的功率在12 W至500 W之间，使用一系列不同拓扑。在这家公司，他开发了用于PTZ摄像机的定制五类线缆供电系统，可与当前最新的POE+解决方案相媲美。Steven是一位高尔夫发烧友，打了至少10年的高尔夫球，他希望有朝一日能够将技能提升到名人赛水平。
Nexperia (安世半导体)
Nexperia（安世半导体），作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD 保护器件、MOSFET 器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及模拟 IC 和逻辑 IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付 900 多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验，Nexperia（安世半导体）持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia（安世半导体）是闻泰科技股份有限公司 (600745.SS) 的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了 IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 和 OHSAS 18001 认证。
Nexperia：效率致胜。
