喜讯！Nexperia（安世半导体）两款产品再度入围2021“全球电子成就奖”评选，请为我们投出您宝贵的两票！
奖项介绍
World Electronics Achievement Awards
全球电子成就奖 (World Electronics Achievement Awards) 旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者，对获奖公司以及个人来说，全球电子成就奖的获得是一项崇高的荣誉，各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者，充分体现了其在业界的领先地位与不凡表现。
各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者，由 ASPENCORE 全球资深产业分析师组成的评审委员会以及来自亚、美、欧洲的网站用户群共同评选出得奖者。
Nexperia 参赛产品
节省空间的LFPAK56D
封装技术的半桥MOSFET
• 创新式半桥（高边和低边）系列汽车MOSFET采用节省空间的LFPAK56D封装技术。这种新封装提供了一种单器件半桥解决方案。与用于三相电机控制拓扑的普通双通道MOSFET相比，由于简化了PCB的布线，其占用的PCB面积减少30%，寄生电感减少60%。符合AEC-Q101标准的Nexperia LFPAK56D半桥封装产品适合各类三相汽车动力系统应用，例如燃油泵、水泵、电机控制和DC/DC电源转换，适用于高性能开关应用。
基于硅技术的PESD2ETH1G-T
ESD保护器件
• 基于硅技术的PESD2ETH1G-T是完全按照IEEE/开放技术联盟100BASE-T1和1000BASE-T1以太网规范设计的。它经过FTZ的官方测试，能够最大限度地达到规范要求。硅基ESD保护器件提供了ESD保护与信号完整性的平衡。这些器件能够显著地使抗ESD冲击能力达到更高性能水平，最高可达到30 kV的系统级抗冲击能力，并且在0V时最大2 pF的电容值不会影响信号完整性。此外，由于触发电压大于或等于100 V时的回弹特性和非常低的40 V钳位电压，PESD2ETH1G-T可提供最佳的系统级保护。该器件采用SOT23标准封装，可保护双通道线路。
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截止日期：
2021年10月1日
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Nexperia (安世半导体)
Nexperia（安世半导体），作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD 保护器件、MOSFET 器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及模拟 IC 和逻辑 IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付 1000 多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验，Nexperia（安世半导体）持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia（安世半导体）是闻泰科技股份有限公司 (600745.SS) 的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了 IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 和 OHSAS 18001 认证。
Nexperia：效率致胜。
