近期，一年一度的 ASPENCORE 全球电子成就奖颁奖盛典在深圳圆满落幕。Nexperia（安世半导体）行业领先的低RDS(on) NextPowerS3 MOSFETs 荣膺2020年度全球电子成就奖—年度杰出产品表现奖（Outstanding Product Performance of the Year）。Nexperia（安世半导体）中国区销售市场资深总监王岩代表安世半导体领奖。
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中国区销售市场资深总监王岩（右）代表安世半导体上台领奖
图片来源：ASPENCORE
全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者。全球电子成就奖的获得是一项崇高的荣誉，各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者，由 ASPENCORE 全球资深产业分析师组成的评审委员会以及来自亚、美、欧洲的网站用户群共同评选出得奖者。该奖项具有非常高的行业声誉，获得领先企业的广泛认可， 极具行业影响力。
NextPowerS3 MOSFETs - 极低RDS(on)，超强电流及SOA能力
Nexperia（安世半导体）在 2020 年 1 月发布了有史以来最低电压的 RDS(on) 功率MOSFET——PSMNR51-25YLH 作为行业内认可低压 MOS，拥有行业领先的新标杆参数 0.57mΩ/25V，利用了Nexperia（安世半导体）独特的 NextPowerS3 技术，在不影响其他重要参数，如：最大漏极电流(ID(max))、安全工作区 (SOA)或栅电荷 QG 的情况下，提供了市场领先的性能。
在许多应用中都需要非常低的 RDS(on) 器件以减少I²R损耗和提高效率，如 ORing，同步整流，电机控制和电池保护。Nexperia（安世半导体）的 PSMNR51-25YLH MOSFET 提供了最高可达 380A 漏极电流。这个参数在电机控制应用中是至关重要的，由于电机失速会导致在短时间内引起很高的浪涌电流，因此 MOSFET 必须能够承受高浪涌电流确保安全和可靠的操作。一些企业只提供计算ID(max)，Nexperia（安世半导体）则可以展示高达 380 安培的持续电流能力。
该器件采用的是 Nexperia（安世半导体）5mm x 6mm Power-SO8 兼容封装——LFPAK56 封装，提供了高性能铜夹结构，可吸收热应力，提供高质量和高可靠性寿命。
Nexperia（安世半导体）的功率 MOSFETs 产品经理 Steven Waterhouse 评论道：
我们推出最新的 NextPowerS3 MOSFETs 意味着电源工程师会比以往任何时候都有更多的选择来设计制造市场领先的产品——电池使用更久，马达扭矩更大，服务器更加可靠。
该产品的典型应用包括：电池保护；无刷直流(BLDC)， 电机控制（全桥，三相拓扑）；并广泛用于ORing，热插拔和同步整流的服务器电源。
欲了解更多产品信息，请点击「阅读原文」。
Nexperia (安世半导体)
Nexperia（安世半导体），作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD 保护器件、MOSFET 器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及模拟 IC 和逻辑 IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付 900 多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验，Nexperia（安世半导体）持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia（安世半导体）是闻泰科技股份有限公司 (600745.SS) 的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了 IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 和 OHSAS 18001 认证。
Nexperia：效率致胜。
