【新品发布】湖南静芯推出用于射频天线防护的深回扫型静电保护器件SEUCS2X18V1B

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      湖南静芯推出全新产品SEUCS2X18V1B。SEUCS2X18V1B是一款保护射频天线的1路双向超低电容深回扫型ESD保护器件，专门设计用于防护天线在信号传输过程中可能遇到的静电威胁，可适用于射频信号、天线、功率放大器、手持式便携设备的信号防护。

射频天线的防护要求

      在构建射频天线的ESD（静电放电）防护体系时需要充分考虑静电在底板的泄放路径，以确保静电能量不会经由射频连接线进入无线模块内部，保证静电快速地通过所设计的泄放路径泄放到大地。遭遇ESD冲击时，电路承受的电压即等同于ESD防护器件的钳位电压，故确保钳位电压尽可能低。所以，射频天线在选择ESD防护器件时需要考虑如下要求：

1.电容极低：通常需要<0.5 pF，甚至在毫米波频段要求低于0.1pF。并联在射频路径上的保护器件容易引入寄生电容，影响发射功率和接收信号强度。

2.响应速度极快：能在皮秒(ps)内响应ESD脉冲。

3.钳位电压低：能迅速将高压脉冲的电压限制在一个安全范围内。

4.走线距离短：保护器件必须尽可能靠近天线的馈点放置，尽快泄放静电，避免静电经过走线后接收更多辐射噪声并增加电感，降低保护效果。

图1 射频天线应用方案

      射频天线保护器件的选取与其电压峰值有着密切的关联。通常天线电路上的保护器件择工作电压需要大于天线电路上的电压峰值，并确保留有足够余量（通常为20-30%），才能保护电路免受静电干扰。

      射频天线通常分为发射天线，接收天线和收发共用天线，不同功能的天线对于电压峰值的计算方式也不一样。发射天线需要重点考虑其信号功率，以下是不同信号功率下对应的峰值电压。

表1 功率-电压对应表

SEUCS2X18V1B介绍

      SEUCS2X18V1B是湖南静芯研发的一款1路双向超低电容深回扫型ESD静电保护器件，专门设计用于防护天线在信号传输过程中可能遇到的静电威胁。该器件采用DFN0603-2L小型封装，工作电压为18V，钳位电压为6V，具有0.14pF的极低电容，可确保信号完整性。根据IEC 61000-4-5标准可承受7A(8/20μs)的峰值脉冲电流，根据IEC 61000-4-2 (ESD)规范，可用于提供高达±15kV(接触放电)，±15kV(空气放电)的ESD保护。该器件的相关曲线图及参数如下所示。

      手机内部的蜂窝式无线网络GSM900的典型功率为33dBm，根据计算其电压峰值为14.13V；4G LTE网络支持HPUE（高功率用户设备）技术，功率最大可达35dBm，根据计算其电压峰值为17.78V。通常天线电路上的保护器件择工作电压需要大于天线电路上的电压峰值，并确保留有足够余量，推荐使用该工作电压为18V的超低电容ESD器件SEUCS2X18V1B对其进行防护。

      该器件的相关曲线图及参数如下所示。

表2 SEUCS2X18V1B相关曲线图

At TA = 25℃ unless otherwise noted

表3 SEUCS2X18V1B电气特性表

总结与结论

      SEUCS2X18V1B是湖南静芯研发的1路双向深回扫型静电保护器件，拥有超低电容和超低钳位电压的优异性能，适用于射频信号、天线、功率放大器、手持式便携设备的信号防护，可防护天线在信号传输过程中可能遇到的静电威胁，保护后端芯片免受静电或浪涌损坏。

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