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【新品发布】湖南静芯推出可用于高速接口的7V低容静电保护器件SELC2F7V1U/ SELC2F7V1B

【新品发布】湖南静芯推出可用于高速接口的7V低容静电保护器件SELC2F7V1U/ SELC2F7V1B ElecSuper 静芯微
2026-03-27
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导读:湖南静芯推出全新低容静电保护器件 SELC2F7V1U/SELC2F7V1B,采用DFN1006-2L小型封装,可应用于USB3.1、HDMI2.0、DisplayPort及V-by-One等高速数据
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湖南静芯推出全新低容静电保护器件 SELC2F7V1U/SELC2F7V1B,最大工作电压为7V采用DFN1006-2L小型封装,可应用于USB3.1HDMI2.0DisplayPortV-by-One等高速数据传输接口。该款产品支持pin-to-pin 替代 SESD Series,能有效防护静电冲击,为高速数据传输线路提供可靠保护。

产品介绍

SELC2F7V1USELC2F7V1B是湖南静芯研发的7V单通道低电容ESD静电保护器件,采用DFN1006-2L封装,根据IEC61000-4-5标准可承受4A(8/20μs)的峰值脉冲电流,可用于提供高达±23kV(接触放电),±23kV(空气放电)ESD保护.

SELC2F7V1B为双向器件,拥有低至0.25pF的超低电容,对高速信号的衰减很小,能最大程度地保证信号完整性,常用于保护数据传输速率极高、对信号质量非常敏感的差分信号线,例如USB 3.1 / 3.0HDMI 2.0 / 1.4DisplayPort  Thunderbolt等高速接口。

1 SELC2F7V1B电气特性表

SELC2F7V1U为单向器件,电容比双向器件略高,约为0.4pF,拥有更强的钳位能力,能在ESD事件发生时,将电压钳制在更低的水平,从而为后端敏感芯片提供更坚实的保护。可应用在速率相对较低,但对可靠性要求高的接口,例如USB 2.0eSATASIM卡、音频接口等。

2 SELC2F7V1U电气特性表

应用示例  

1 SELC2F7V1U应用示例

SELC2F7V1B应用示例

总结与结论

SELC2F7V1USELC2F7V1B凭借其超小体积、低电容和低钳位为空间受限的电子设备提供了高效可靠的ESD防护选择,可为工作电压为7V及以下的相关电路静电防护提供性价比极高的选择,将在消费电子、可穿戴设备、通信设备和工业控制等领域发挥重要作用。

湖南静芯ESD器件工作电压涵盖1.0~72V,电流涵盖4~30A,电容最低至0.08pF,封装涵盖CSPFC及各类封装形式。同时推出22V&33V TDS平缓浪涌抑制器,可用于保护工作电压为20V24V28V36V的系统,具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性,可为系统提供更全面保护。结合TDS器件与深回扫ESD优势,湖南静芯是国内首家推出USB4.0完整解决方案的公司,详情可以参考:“湖南静芯推出Thunderbolt4、5/USB4.0&PD3.0的ESD&EOS防护完整解决方案100W+80G”与“湖南静芯推出USB4.0&PD3.1ESD&EOS防护完整解决方案140W&180W+80G/120G”等文章。




关于我们

静芯特色产品:

深浅回扫1~72V,0402/0603 0.08pF ESD器件

CAN/485/LIN应用高压对称与非对称ESD器件

Enhanced ESD Protection MOSFET HBM>15kV

国内首家SuperSurgeControl技术TDS防护IC

芯片级8kV/15kV/30kV TVS集成设计服务

光电信号、跨阻放大、LED驱动等设计服务

官方网站:www.elecsuper.com

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