存储产品中，内存（DRAM）和固态硬盘（NAND Flash）分别代表着易失性与非易失性存储设备，在科技发展的进程中，两者都在不断进步，但是容量存储密度以及读写速度的差距依然不小，市场上介于这两者之间的产品少之又少。
近年，持久性内存（Persistent Memory）的出现填补了两者之间的空白。持久性内存结合了DRAM和NAND Flash两者之间的优点，与DRAM相比，持久性内存是非易失性，即使在断电的情况下仍具有数据存储的能力，读写速度接近DRAM，因此与NAND Flash相比读写速度更快、延时更低，同时写入耐久性更高。目前常见的持久性内存有相变化内存 (Phase Change Memory, PCM)，可变电阻式内存 (Resistive random-access memory, ReRAM)，磁阻式内存 (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)。一般认为intel的3D Xpoint内存就是一种相变化内存。可惜的是，目前持久性内存除了intel的3D Xpoint可以做到单颗8GB/16GB以外，其他的持久性内存容量都比主流DRAM的容量还小。
持久性内存能用在哪里？
根据持久性内存的特性，其应用场景也相对比较广泛，不仅充当易失性存储，也可用作NV-DIMM。（NVDIMM 是在一种集成了DRAM与非易失性内存芯片的内存条规格，能够在完全断电的时候依然保存完整内存数据。）也可以用作非易失性存储设备，用来制作固态硬盘等存储器。
持久性内存的ECC要求比NAND简单
比起闪存，持久性内存单元发生错误的机会小很多，因此可以使用较简单的错误更正码(ECC)，比方说 Hamming code，而不需要像NAND需要用到很复杂的错误更正码像是LDPC，越简单的ECC，延迟会越低，越复杂的ECC甚至要用到软解码(Soft decoding)的方式，经过反复运算得到正确的资料，延迟会越高。
持久性存储控制器较NAND控制器简化
因为NAND的特性是不能复写的，所以要重复写入同一个逻辑位址的时候，在闪存中实际上是找一个新的资料块(Data block)来写入，因此闪存控制器需要记住逻辑位址与实体块对应的关系，这个对应关系就记在映射表(mapping table)中。再加上每个实体块的写入次数是有限的，闪存控制器就要使用wear leveling让写入次数平均化来延长固态硬盘的寿命。因为持久性内存的每个单元都可以重复读写，所以持久性内存的控制器没有NAND控制器那么复杂，不需要进行重映射（Re-Mapping）、磨损均衡（Wear Leveling）以及垃圾回收（Garbage Collection），但是还是会有ECC以及错误处理的功能在持久性内存的控制器里面。
持久性存储能够制作低容量低延迟的固态硬盘
由于持久性内存的延迟较NAND低很多，因此带宽也高很多，拿intel 3D Xpoint来说，单颗3D Xpoint的读取带宽高达1600MB/s，在PCIe Gen4 x4（理论带宽8GB/s），所以仅仅只要5个Die，容量80GB就可以达到 PCIe Gen4 x4最大的带宽。如果是NAND的话，需要使用到15到27颗才能达到PCIe Gen4 x4最大的带宽，固态硬盘的容量也会达到0.96TB-1.72TB这么大才能达到这样的速度，因此可以看出持久性内存适合用来做小容量低延迟的固态硬盘，而闪存的话就适合作为大容量的储存装置。
从上面几点可以看出，持久性内存可以跟闪存有不同的应用，也有互补的作用．慧荣科技身为全球闪存控制器的领导厂商，对这个领域也会持续关注，希望为存储系统发展出更多的应用。
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