2021新年来啦！在未来的1年里，迈塔光电祝
各位科研牛们在探索的道路上
身体健康牛
科研学业牛
感情桃花牛
个人你好牛
每天都牛气冲天
感谢各位老师和同学，
在过去的一年对迈塔光电的支持信赖！
在新的一年以及未来的很多很多年，
我们竭诚为您提供更优质的服务！
在此，我司特别整理了近年来
“范德华异质结发展现状及转移技术”
相关文献素材，仅供各位老师参考！
下载地址：
https://pan.baidu.com/s/1blUlbbnpiRQdDRrnK-eldw
提取码: r9uk
自2010年以来，二维材料精准转移技术不断发展，促进了vdW异质结研究的发展，目前已发展的二维材料转移技术包括干法转移、湿法转移，如下图所示（素材来源于：廖俊懿, 吴娟霞, 党春鹤, 谢黎明. 二维材料的转移方法. 物理学报, 2021, 70(2): 028201. doi: 10.7498/aps.70.20201425）：
文献摘要：
一、湿法转移：
PVA（聚乙烯醇）吸附转移法：
PVA吸附转移二维材料：在PVA表面剥离石墨烯样品；悬臂与石墨烯样品接触；用注射器在样品周围滴去离子水使局部的PVA溶解；将石墨烯转移至目标基底。
PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）辅助转移法：
PMMA 辅助转移制备 Graphene/h-BN 异质结：石墨烯被剥离在水溶性高分子与PMMA 表面；在去离子水的作用下高分子薄膜与基底分离；石墨烯样品与h-BN对准；将石墨烯转移至带有h-BN的SiO2/Si基底上。
小分子掺杂PS（聚苯乙烯）转移法：
小分子掺杂 PS 转移 WS2 样品：CVD 生长在蓝宝石基底上的WS2 样品；将样品置于液氮中浸泡15 min；将样品置于Li+溶液中浸泡30 min；在样品表面旋涂小分子/高分子混合物薄膜，并在去离子水的作用下使薄膜与蓝宝石基底分离；将样品转移至目标基底；在甲苯溶液中浸泡1.5 h去除高分子薄膜。
化学刻蚀转移法：
化学刻蚀转移 CVD 生长大面积石墨烯：金属/SiO2 基底上生长或图形化的石墨烯样品；在去离子水的作用下将高分子薄膜支撑的石墨烯/金属层从SiO2基底分离；利用FeCl3溶液刻蚀金属；将石墨烯转移至目标基底；光刻得到目标基底上的石墨烯样品。
二、干法转移：
PDMS（聚二甲基硅氧烷）剥离转移法：
PDMS 干法转移设备及过程：在 PDMS上机械剥离二维材料；将带有样品PDMS翻转；样品与目标基底对准；使样品与目标基底接触；将PDMS从基底表面剥离；样品被成功转移至目标基底。
vdWs相互作用转移法：
vdWs相互作用法转移制备 h-BN/Graphene/h-BN 异质结：透明玻璃/PDMS/PPC担体将 h-BN从SiO2基底剥离；在110 ℃下将h-BN与石墨烯堆叠；将h-BN/Graphene从SiO2表面剥离；在110 ℃下将 h-BN/Graphene与h-BN堆叠；成功制备h-BN/Graphene/h-BN异质结。
****************************
相关技术细节需要进一步讨论的，
请联系小编，
小编微信号“15850777995”
联系暗号“二维材料转移”
给大家拜个早年！