- 用户真实案例 -
使用我司E1-T转移平台将ReSe2/Gr器件堆叠在SiO2/Si基底上。
使用我司E1-T转移平台,将少层MoTe2、InSe和Gr薄片依次转移并堆叠至基底上。
所有器件均通过我司E1-T转移平台在SiO2/Si基底上采用机械堆叠剥离的MoTe2、h-BN和Gr薄片制备而成。
使用我司E1-T转移平台,将Bi2Te3纳米片转移至Si/SiO2(285 nm)基底上。
使用我司E1-G转移平台将精选的薄片精确放置于预制Cr/Au电极上,石墨层形成桥接电极以确保欧姆接触。
使用我司E1-T转移平台将WSe2、二硫化钼和Td-MoTe2转移至Si/SiO2(300 nm)基底上。
在光学显微镜下对目标薄片进行识别,并使用我司E1-G转移平台将其转移至Si/SiO2基底上。
使用我司E1-T转移平台制造堆叠二维范德华异质结构器件的逐层转移过程。
使用我司E1-G转移平台将 PDMS 支撑的CsPbBr3薄膜与SiO2涂层印章表面突出的微柱进行光学对准。
将 h-BN 和 WSe2 薄片剥离到PDMS支撑上,并选取薄片在我司E1-G转移平台下进行精确对准后转移到 CIPS 薄片上,从而形成 WSe2/h-BN/CIPS 结构。
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迈塔光电售前及测试专员(微信同号)

