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用于增强LED光提取的一步制造无序超表面

用于增强LED光提取的一步制造无序超表面 两江科技评论
2021-09-17
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导读:近日,科学家Peng Mao等人提出并实现了一种无序的超表面,用于整个可见光谱的TIR光提取,并且该超表面可通过单步制备实现。通过应用这种具有成本效益的光提取层,这项工作将商业化GaN LED 的外量


撰稿 | 周倩苇


01
导读

近日,科学家们Peng Mao, Changxu Liu等人发表了题为“Single-step-fabricated disordered metasurfaces for enhanced light extraction from LEDs”的科技文章。全内反射(TIR)为许多重要应用奠定了基础,尤其是彻底改变了信息技术的光纤。但它在一些应用中并不受欢迎,例如作为节能光源支柱的发光二极管(LED)。TIR会防止光子从构成的高折射率材料中逸出,这使LED的光提取效率受限。近年来,在半导体/空气界面使用纳米结构提高了提取效率,将捕获的光子耦合到外部连续体。然而,光提取几何特征的设计总是需要复杂且耗时的制造,这导致实验室演示和工业级应用之间存在差距。这篇文章提出并实现了一种无序的超表面,用于整个可见光谱的TIR光提取,并且该超表面可通过单步制备实现。通过应用这种具有成本效益的光提取层,这项工作将商业化GaN LED的外量子效率提高了1.65倍。该文章已发表在Light: Science & Applications期刊上。

02
研究背景

照明占全球电力消耗的15%和全球温室气体排放的5%。因此,实现节能光源对于全球发展的可持续性至关重要。凭借其紧凑的尺寸、高效率和长寿命,LED已发展成为替代传统光源(如白炽灯泡和荧光灯管)的主要候选者。然而,由于成本高昂,在世界大部分地区,现有照明装置中只有不到10%使用LED产品。由于人口增长和城市化进程的加快,预计到2030年照明需求将增长50%。因此,在降低成本的同时提高LED 光源的效率成为科学和工程界面临的紧迫挑战


通过过去几十年的大量努力,LED材料质量取得了显著进步,尤其是III族氮化物和有机材料,其内量子效率已接近理论极限。然而,相当一部分产生的光子由于全内反射被限制在LED的高折射材料内,使得耦合效率成为整体效率和节能的瓶颈。已经开发出从高度受限的波导模式中提取光的方法,包括在顶面或基板上制造电介质/金属纳米结构、图案化电极和主体内部的波纹。尽管与非结构化器件相比,据报道输出功率提高了两倍以上,但光提取结构总是需要复杂且耗时的制造工艺,包括模板制造、光刻(通过光学或电子束)或纳米压印。从实用的角度来看,该结构增加的制造成本可能超过提高外量子效率的好处,阻碍了它们实际应用。


已提出LED基板的无光刻结构以简化制造和集成。然而,仍然需要多步骤的过程。并且纳米结构通常在有源区域下方制造,这使得设备容易因高度局部化的电场或短路而发生电路故障。同时,免光刻解决方案通常与主流III-V固态技术不兼容。为此,可应用于商业化LED系统的经济高效的解决方案仍然未实现。


03
创新研究

在这里,科学家们从萤火虫中汲取灵感,提出对超表面结构进行逐步优化,见图1。


图1 用于光提取的无序超表面的进化启发设计。


基于在非结构化GaN LED顶部由无序银纳米粒子(NP)组成的超表面IV,将光致发光测量中已制备的商业化GaN-LED器件的输出功率提高1.7倍。使用半球形环氧树脂封装后,外量子效率(EQE)显著提高(从31%到51%),见图2。最重要的是,此项工作通过基于气相簇束沉积的单一程序实现了这个光提取层,大大降低了制造成本和时间。结合大面积制造的可扩展性,这种具有成本效益的无序超表面代表了一种有前途的方法,有望弥合照明市场中高效实验室演示和工业生产之间的差距。


 图2 具有无序超表面IV的商业化GaN-LED的性能测试。



文章信息:
该文章近日发表在国际顶尖学术期刊《Light: Science & Applications》,题为“Single-step-fabricated disordered metasurfaces for enhanced light extraction from LEDs”。


论文全文下载地址:
https://doi.org/10.1038/s41377-021-00621-7

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