作者
Qianyuan Li, Quanyang Tao, Yang Chen, Lingan Kong, Zhiwen Shu, Huigao Duan, Lei Liao, Yuan Liu*
单位
1 湖南大学 物理与微电子科学学院
2 湖南大学 机械与运载工程学院
Citation
Li Q Y, Tao Q Y, Chen Y, Kong L G, Shu Z W et al. Low voltage and robust InSe memristor using van der Waals electrodes integration Int. J. Extrem. Manuf. 3, 045103 (2021).
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https://doi.org/10.1088/2631-7990/ac2296
撰稿 | 文章作者
文章简介
忆阻器在高密度存储器和神经形态计算中引起了极大关注。然而，尽管近年来付出了巨大努力，但高工作电压、稳定性差和器件可变性大仍是其实际应用中的关键限制因素，这一定程度上归因于电极和通道材料之间的界面尚未优化。我们首次展示了在二维通道材料两侧物理夹入预制金属电极的范德华 (vdW) 忆阻器。原子级平底电极确保通道和电极之间的紧密接触（因此工作电压低），顶部电极的 vdW 集成避免了由侵蚀性制造工艺（例如溅射、光刻）直接应用于通道材料而带来的损伤，提高了元件稳定性。同时，我们还展示了具有1010cm−2的高集成密度、高稳定性的忆阻器阵列，其最低设置/复位电压为0.12 V/0.04 V，据我们所知，这是基于2D的忆阻器目前报道的最低值。此外，我们还通过详细的表征来证实改进的忆阻器行为是优化金属/通道界面的结果。该研究不仅展示了一种低电压高鲁棒性忆阻器，同时还为氧化物基忆阻器等其他受制于非理想的接触集成、高工作电压和元件稳定性差的忆阻器提供了一种通用的电极集成方法。
作者介绍
刘渊，湖南大学物理微电子学院教授，博士生导师。于浙江大学电子信息工程专业获得学士学位，于加州大学洛杉矶分校材料工程学院获得博士学位，随后在加州大学洛杉矶分校/加州纳米研究院从事博士后研究。刘渊教授针对未来器件需求开展了基于范德华异质集成的低功耗二维晶体管、柔性显示微纳器件的构建。作为项目负责人/首席科学家先后主持多个项目，包括国家自然科学基金重大课题、教育部霍英东青年教师基金等。在Nature, Nature Nanotechnology, Nature Electronics, Nano Letters, National Science Reviews等国内外期刊上发表论文90余篇，包括Nature 8篇，Nature 子刊16篇，总引用13000余次，2018年至2020连续入选科睿唯安全球高被引学者。担任Nature, Nature Photonics, Nature Electronics等20余本国际知名期刊审稿人和科技部、教育部、国家自然科学基金委专家库专家。获Nano Research Young Innovator Award、《麻省理工评论》中国35岁以下35人、《福布斯》中国U30、中国科技新锐等荣誉。
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