

撰稿 | 课题组撰稿
图1 (a) 样品结构示意图。(b) 高品质单层WSe2中不同种类激子的荧光谷选择性测试
图2 (a) 中等功率下原位荧光及银线传导荧光。(b) 不同功率下传导荧光与原位荧光的比值。
图3 (a) 距离依赖荧光光谱。(b) 0 μm及0.5 μm处荧光光谱。
图4 (a) 圆偏光激发下,不同种类激子的定向耦合特性。(b) 面内圆偏及 (c) 面外偶极子与银线耦合的仿真计算。
两江科技评论

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图1 (a) 样品结构示意图。(b) 高品质单层WSe2中不同种类激子的荧光谷选择性测试
图2 (a) 中等功率下原位荧光及银线传导荧光。(b) 不同功率下传导荧光与原位荧光的比值。
图3 (a) 距离依赖荧光光谱。(b) 0 μm及0.5 μm处荧光光谱。
图4 (a) 圆偏光激发下,不同种类激子的定向耦合特性。(b) 面内圆偏及 (c) 面外偶极子与银线耦合的仿真计算。