

撰稿|张子栋

图1:(a)在连续弹性体中实现手性反常体态的示意图 (b)声子晶体的第一布里渊区及扭曲角示意图 (c)面外弹性波能带图 (d) 声子晶体波导的投影能带,其在y方向为自由边界,x方向为周期边界条件 (e) 手性反常体态的面外位移场分布 (f) 手性反常体态的带宽随声子晶体波导层数的变化。

图2:(a) 带有120度弯折的声子晶体波导样品图 (b, c)在120度弯折波导上,理论及实验上34.2 kHz声波的面外位移场分布 (d)无序波导样品图和频率为34.2 kHz声波的位移场分布 (e)有缺陷波导的样品图和频率为34.2kHz声波的位移场分布 (b-e)插图为相应的傅立叶谱 (f)120度弯折波导、无序波导及无缺陷波导的透射曲线。

图3:(a)未修饰的波导、两侧悬挂质量块的波导和一侧悬挂质量块的波导的实验样品 (b)由点源激发的34.2 kHz声波的面外位移场分布 (c, d)未修饰波导和两侧悬挂质量块波导的傅里叶谱图 (e-g)三个波导实验测试的投影能带图。
如上所述,研究人员已经在宏观弹性波系统中实现了手性反常体态。然而,在片上弹性波系统中,很难实现如此大面积的悬浮结构。在纳机电系统中,可以通过构建声阻抗失配的边界,来实现片上弹性波的手性反常体态。其结构如图4(a)所示,将二维材料固定在具有三角晶格的微柱阵列上。由于悬浮区域与非悬浮的块状环境之间的声阻抗不匹配,声波将被限制在悬浮区域中。图4(b)为该结构对应的能带曲线。接着,通过该阻抗失配的边界构造声子晶体波导,由于该边界条件与红色能带的振动模式不兼容[图4(b)],红色能带被禁止激发,因此在纳机电体系中实现了片上弹性波手性反常体态。为了展示该手性反常体态的优势,研究人员设计了一个大面积的谐振器,如图4(e)所示,其仅需要单一的结构和选取合适的边界,而且其所有结构区域都被很好的利用。

图4:(a)在纳机电声子晶体体系中实现手性反常体态的示意图 (b)对应纳机电声子晶体的能带曲线 (c)对应声子晶体波导的投影能带 (d)手性反常体态谐振腔。
该工作理论上提出及实验上证实了在具有C3v对称性的弹性扭曲kagome超构材料中,可以通过自由边界诱导手性反常体态。该体态具有稳定的谷锁定输运特征,可以实现完全的谷态转换。更重要的是,手性反常体态在K点附近的群速度符号可以通过调控边界势实现翻转。此外,在纳机电声子晶体体系中,可以通过构建阻抗失配的边界条件,来实现片上弹性波手性反常体态。这些结果为设计更紧凑、更节省空间、更鲁棒的弹性波宏观和微观的功能器件开辟了新的可能性。

论文链接:
https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.132.086302

