

文章来源:纳米人
研究亮点
实验发现在2020年报道了合成MoSi2N4,这是第一个七层二维材料,其不具备天然层状晶体结构,而是通过化学气相沉积方法成功合成。
实验采用了硅保护单层MoN2的方法,成功制备了MoSi2N4,通过透射电子显微镜确认其七层原子层结构为N-Si-N-Mo-N-Si-N。这一复杂的层状结构开辟了新的材料研究领域,其中MoN2以MoS2结构插层在Si2N2(类似于InSe结构)层之间。除了MoSi2N4外,还成功合成了其衍生物MoSi2N4(MoN)4n,展示了进一步层间插层的可能性。
该材料家族不仅限于MoSi2N4,还包括类似的WSi2N4等成员,预示着未来可能合成更多类似材料。这些材料的电子性质非常吸引人,例如预测到的α2-WSi2Sb4在室温下具有超过105 cm2 (V s)−1的空穴迁移率,显示出其在电子器件和应用方面的巨大潜力。
另一个引人注目的特点是这些材料的结构复杂性和多样性,尤其是具有破坏镜面反射对称性的Janus结构,如MoSiGeN4,这些结构具有内置的偶极矩,可能在催化和光电应用中发挥重要作用。
图文解读
图2. MoSi2N4(MoN)4透射电子显微镜研究。
总结展望

