反铁电体Antiferroelectrics，因其独特的物理特性而备受关注，其中最显著的是，将反极性基态与电压诱导极性态分离开来的双电滞回线。这种行为，对于能量存储非常有用，并且在电卡冷却及其他应用中前景广阔。
然而，反铁电体的定义性特征（反极性基态和双电滞回线）正日益受到挑战：研究发现了具有非共线和/或混合极性-反极性序的材料，并且在没有传统反极性基态的材料中，也实现了双电滞回线。这些进展，使得反铁电体基础和应用方面的研究有增无减，并呼吁重新审视反铁电性。
近日，西班牙加泰罗尼亚高等研究院Gustau Catalan，内布拉斯加大学Alexei Gruverman，卢森堡科学技术研究院Jorge Íñiguez-González，挪威科技大学Dennis Meier，瑞士苏黎世联邦理工学院Morgan Trassin在Nature Materials上发表评述文章，修正了反铁电性的定义，讨论了具有新型反极性序和/或经人工设计的双电滞回线的材料体系，并对新兴特性和理论方法进行了思考。
图 1：反铁电性与电偶极子的反极性有序。
图 2：维恩Venn图，展示了反铁电性的关键特征，以及包含全部特征（反铁电体）或仅包含部分特征（赝反铁电体）的代表性材料实例。
图 3：利用薄膜结构构筑的合成反铁电材料。
新材料设计：探索从未止步：不同的反极性序（铁电体、非共线、非本征）、新特性（如反铁电多铁性、反极性金属）、增强的功能（更小的滞后和临界场）以及更优的化学组成（无铅成分、与互补金属氧化物半导体CMOS兼容性）。无铅材料的研究主要集中在钙钛矿铌酸盐，以及基于BiFeO₃化合物和异质结构，而CMOS兼容性，则主要针对氧化铪-氧化锆体系。
反铁电体面临的许多器件挑战与铁电体相似：可扩展性、低漏电流、高饱和极化和高抗疲劳性。其他挑战则更具特异性或依赖于具体应用。例如，在储能效率方面，需要减小电滞回线的宽度。应对策略包括掺杂、应变工程以及引入薄膜。
