PCIe 5.0接口逐渐成为高性能PC标配的当下，存储行业正迎来从“极客尝鲜”向“全面普及”的关键转折。要让PCIe 5.0的高带宽优势真正惠及更广泛的笔记本与主流桌面用户，则需要一款在性能、功耗与价格之间取得完美平衡的解决方案。
慧荣科技作为NAND闪存控制器的核心推动者，旗下主流级PCIe 5.0主控芯片——SM2504XT，正是为此而生。我们将通过搭载该主控芯片的SSD样品，一探其如何以创新架构重塑主流存储体验。
工艺革新，架构重塑
为应对PCIe 5.0时代普遍面临的功耗挑战，SM2504XT在设计之初便确立了“能效优先”的核心策略。其采用台积电先进6nm制程工艺，配合动态电源状态调节，使功耗较上一代PCIe Gen5主控芯片降低30%，显著改善运行发热现象。
SM2504XT不仅全面支持PCIe Gen5 x4接口与NVMe 2.0协议，更搭载三核 ARM Cortex-R8® CPU。其内置4个NAND通道，单通道速率高达3,600 MT/s，完美适配当前主流的3D TLC和QLC NAND闪存。提供高达12.1 GB/s与11.2 GB/s的连续读写性能，同时支持1.7M IOPS的随机读取与2.0M IOPS随机写入，为高强度工作负载提供快速且一致的响应表现。
此外，SM2504XT还引入了SCA（分离命令地址）先进架构。通过将命令和地址传输路径分离，实现了更高效的并行数据存取，配合HMB（主机内存缓冲）技术，在DRAM-less架构下依然能释放出惊人的吞吐性能。
出色能效，实测感知
以搭载SM2504XT主控芯片的SSD样品为例，其在CrystalDiskMark文件大小1 GB的测试中，连续读写速度分别为11,358.23 MB/s与9,894.08 MB/s，不仅满足官方标称数据，性能更是远超远超PCIe 4.0旗舰产品。而更能反映系统流畅度的随机读写测试中，得益于三核CPU的强大算力与HMB优化，也取得了86.55 MB/s与247.13 MB/s的佳绩。
模拟真实50%和90%占用情况再次进行测试，样品性能一致性依然非常出色，与空盘成绩相比没有明显降速现象，均保持在同一水平线上。
游戏场景中使用3DMARK进行DirectStorage功能测试，该项测试主要应用于测试Microsoft DirectStorage技术场景下，NVMe这类高速存储产品的带宽表现。而搭载SM2504XT主控芯片的样品在该项测试中评分为177.1%，开启DirectStorage前后带宽分别是7.26 GB/s与20.10 GB/s，提升效果非常显著。
办公场景选用PCMark10进行测试，样品最终成绩为3,271分，带宽387.92 MB/s，平均存取时间38 μs。无论是批量处理Excel表格、导出高清视频，还是同时打开多个浏览器标签页，均能保持流畅响应，满足日常办公与内容创作需求。
温度方面针对“裸盘”和安装主板“马甲”两种状态，分别测试待机与满载温度表现。其中，裸盘待机时温度为46℃，满载下即使温度达到82℃，也未出现速度下降情况；而马甲待机时温度仅为30℃，满载下温度更是大幅降低至44℃。
SM2504XT主控芯片的低功耗设计有效降低了发热压力，尤其简易安装辅助散热情况下，控温效果与稳定性大幅提升。
SM2504XT方案的推出，不仅填补了主流市场空白，更通过软硬件深度协同，成功打破了“高性能必然高功耗”的刻板印象。其将11.5GB/s级的疾速体验带入了主流视野，并以出色的温控和兼容性，跨越PCIe 5.0普及道路上的最后障碍。在AI计算与高清内容创作爆发的今天，慧荣科技正以领先的技术实力，推动存储行业迈向速度与效率并重的新纪元。
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