2021 PC存储发展趋势， DRAM-less固态硬盘凭借成本优势将逐渐普及

固态硬盘近年来越来越受到PC用户们的追捧，出色的读取写入性能不仅能够让游戏玩家们减少大量游戏文件载入时间，更是能够让图像处理、视频剪辑等生产力用户提高效率，可以说固态硬盘是PC用户们不可或缺的游戏装备和生产力工具。

固态硬盘能够如此快速被PC用户们所接受并且快速普及，一方面离不开高速性能带来的流畅游戏体验和生产力效率的提升，另一方面也是因为固态硬盘逐渐走向亲民化，不仅是游戏玩家能够体验到高速读取的快感，办公和普通家用PC也能从更具性价比的入门固态硬盘中获益。

固态硬盘之所以能够逐渐走向大众化，离不开3D NAND不断扩容和主控芯片采用更具成本优势的架构。其中，不得不提到对固态硬盘的普及起到至关重要作用的DRAM-less架构的固态硬盘。

DRAM-less主控产品在市场中存在已久，并且已经成了目前存储市场的主流，2021年对于DRAM-less系列产品而言同样重要。目前中低端PC和笔记本产品凭借着出色的成本优势，将会在2021年继续实现市占率的增长，而中低端的PC和笔记本也越来越倾向于固态硬盘，因此2021年DRAM-less架构固态硬盘同样有机会依赖入门级PC和笔记本实现市场增长，进一步普及固态硬盘。

慧荣科技针对DRAM-less架构的主控产品早已布局多年，在SATA、PCIe 3.0以及PCIe 4.0等不同性能等级上均有产品覆盖。

SATA

SM2259XT

 图片来源：Modders-Inc

SM2259XT是一款4通道高性能SATA 6Gb/s固态硬盘主控芯片，拥有小尺寸、低功耗以及低成本等特点。拥有最高可达560/520 MB/s的连续读取写入速度，以及75K/75K IOPS随机读取写入速度。支持2.5寸、1.8寸、SATA以及mSATA等外形尺寸的固态硬盘产品。SM2259XT采用先进的Direct-TLC与SLC快速读取算法，可以大幅提升TLC和QLC闪存的连续读取性能，可满足企业级/消费级固态硬盘和工业存储。

SM2263XT

SM2263XT主控芯片采用的4个 8 Gbps 通道 (PCIe Gen3x4)，加上4个 NAND 通道，可以为主流NVMe固态硬盘提供出色性能。SM2263XT的DRAM-less设计，不仅有效降低了BOM成本，并且其HMB技术还为搭载SM2263XT主控芯片的固态硬盘提供高速读写性能。连续读取速度可达2,400MB/s，连续写入速度可达1,700MB/s，4K随机读取可达280K IOPS (HMB)/140K IOPS (无HMB)，4K随机写入可达250K IOPS。

SM2267XT

SM2267XT 满足主流消费级和高性价比 SSD应用需求，具备四个 16Gb/s (PCIe Gen4x4) 通道和四个 NAND 通道。作为一款PCIe 4.0主流级主控芯片，其DRAM-less主控芯片可在不影响性能的前提下，满足小尺寸的产品设计需求。连续读取速度可达3,900MB/s，连续写入速度可达3,500MB/s，4K随机读取可达500K IOPS (HMB)/200K IOPS (无HMB)，4K随机写入可达500K IOPS。

以上三款主控芯片产品在满足性能与成本的完美平衡的同时，安全方面同样值得关注。三款主控芯片均支持SRAM ECC、端对端路径保护以及慧荣科技专利的NANDXtend™ ECC技术，能够提升闪存芯片的PE循环次数，有效提升固态硬盘使用寿命和保证资料安全性及完整性。

图片来源：CFM

根据中国闪存市场的调查数据，2021年将会有更多PC产品搭载更大容量的固态硬盘，兼顾性能并且更具成本优势的DRAM-less固态硬盘作为中低端PC的主力军，将会占据PC市场的大量份额。慧荣科技早已在SATA、PCIe 3.0以及PCIe 4.0等产品线对DRAM-less主控芯片产品进行布局，为客户提供出色的产品及完善的解决方案，共赢未来。