
导 读
美国加州理工学院Chiara Daraio教授和Jinwoong Cha博士后设计了一种一维非线性纳米机电晶格(nanoelectromechanical lattices ,NEML),在频率10-30 MHz范围内实现了对声子色散关系的动态电压调制,同时触发了非线性效应、导致声子带隙发生显著的偏移,这种现象类似于凝聚态物理中的Peierls相变。相关工作以“Electrical tuning of elastic wave propagationin nanomechanical lattices at MHz frequencies”为题,发表在《Nature Nanotechnology》期刊上。
微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)是将活动的微纳机械结构与电路集成在一个芯片内,主要包括感知外界信息(力、热、光、生、磁、化等)的传感器和控制外界信息的执行器, 以及进行信号处理和控制的电路。当MEMS的特征尺寸缩小到100纳米以下时,被称为纳机电系统(NEMS, Nano-Electro-Mechanical System)。
基于纳米结构的NEMS 器件及系统具有很多MEMS器件所不具备的特性和功能,如超高频率、低能耗、高灵敏度、对表面质量和吸附性前所未有的控制能力等。尤其是NEMS谐振器,其利用纳米核心结构的尺度效应,通过谐振结构的等比例缩小,使得器件的工作频率显著提高,甚至可以达到GHz。因此,可以组成高频电路里的振荡器和滤波器。
此外,NEMS在兆赫兹(MHz)频率范围内工作时,可以实现不同物理量之间的能量转换。例如,可将光学或电信号转换成机械运动,反之亦然。单自由度或低自由度的NEMS平台已被用于“类量子效应”(quantum-like)的实验证实,如模态冷却(mode cooling)、机械诱导透明现象现象(mechanically induced transparency)、Rabi振荡、双模压缩和“激声”(phonon lasing)等。具有结构化基元(architected unit cells)的NEMS谐振器周期阵列,能够进行基于晶格动力学的凝聚态物理现象的研究,例如声子禁带、能量传输、非线性动力学和局域以及拓扑属性,可将相关基础研究直接在片上器件开展。
研究人员制备了一种一维非线性纳米机电晶格(nanoelectromechanical lattices ,NEML)系统,其设计灵感来自基于NEMS的声子波导,该器件的独特之处在于各个谐振器在电压感应下的频率调谐特性。此处,一维非线性NEML包括机电耦合的周期性排列自支撑纳米薄膜,这种设计形成了一个弯曲的声子晶体,具有1.8 MHz的带宽。当加载静态直流电压时,会产生电压依赖性的格点势能(voltage-dependent on-site potentials),能够有效地控制声子的群速度,并可显著改变器件的声子色散关系。更为有趣的是,交流电压的动态调制作用将会导致一种新的带隙形成机制:NEML声子晶体受到动态调制后将触发非线性效应,以类似于凝聚态物质中的Peierls相变的方式,诱导了声子带隙的形成。
电场可控的NEML研究将有助于小型化高频声学功能元件的开发,例如用于射频信号处理应用的传感器、可调滤波器和延迟线,它们与电子器件相比具有更小的尺寸面积,有利于在手机等消费类电子设备中的应用。在量子技术相关的应用中,可以通过采用石墨烯代替金电极、增加膜的残余应力和低温操作等方法降低损耗、提高器件的品质因子Q。

a, 非线性NEML的扫描电子显微镜图;
b, 图a中横截面A–B 的示意图;
c, 图a中虚线部分的放大扫描电子显微镜图,显示了金属电极附近的区域;
d, 具有120个单胞的晶格频率响应曲线。上(下)图表示无(有)电极的器件响应曲线。

a,c, (a)Vd.c. = 2 V,VT = 0 V 和 (c) Va.c = 40 mV,VT =20 V下的频率色散实验曲线;
e, b和d中在不同频率A、B、C和D下单胞的模式形状;
f,不同门电压下(VT = 0 to 25 V)的实验频率响应曲线;
g, 步长为5 V ,VT从5 V变为25 V(从左到右)的频率响应曲线;
h, 模拟与实验获得的带隙中心位置、带隙宽度与VT的函数关系图;
i, 频率响应的平均Q因子与VT的函数关系图。

a,b, 调节门电压VT = 0 V (a) 、VT =24 V(b)下,信号滤波前的谐振器末端位移的瞬态响应曲线;
c,e, VT =0 V (c) 、VT =24 V (e)下,包络脉冲的群速度与中心频率的函数关系图;
d,f, 彩色图表示VT = 0 V (d)、VT = 24 V (f)时,不同频率下信号包络线的时域振幅响应图;
g,h, 在频率12.5 MHz、13.5 MHz和 14.5 MHz下,时域脉冲包络图,分别对应于图d和 f中三条黄色虚线,Δt 时包络的时间步长。

a, 当调制电极在Vd.c.= VT,d.c. = 5 V,Va.c.= 0 mV,VT,a.c.=100 mV的非线性驱动下的频率响应曲线;
b, 在Vd.c. = VT,d.c. =5 V,Va.c = 0 mV,VT,a.c.= 100 mV,调制频率为ωπ = 11.5 MHz下动态调制晶格的频率响应曲线图;
c, 放大观察图b 中白色虚线部分的数据及其对应的频率响应;
d, 空间扫描晶格28个格点得到的频率响应数据;
e, 与图d中扫面数据对应的频率色散曲线;图c–e白色箭头标出的是诱发的带隙。
https://www.nature.com/articles/s41565-018-0252-6
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编辑:冯元会
审核:颜学俊

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