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AM:单片集成的铌酸锂基拓扑声表面波谐振腔的强耦合

AM:单片集成的铌酸锂基拓扑声表面波谐振腔的强耦合 两江科技评论
2024-02-22
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导读:近日,南京大学陈延峰教授、卢明辉教授团队与徐海谭教授合作,基于单晶铌酸锂集成电声系统,实现了工作频率位于GHz以上的拓扑声表面波谐振腔的强耦合,其具有大的拉比(Rabi)劈裂和高品质因数。


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撰稿|张子栋

导读


近日,南京大学陈延峰教授、卢明辉教授团队与徐海谭教授合作,基于单晶铌酸锂集成电声系统,实现了工作频率位于GHz以上的拓扑声表面波谐振腔的强耦合,其具有大的拉比(Rabi)劈裂和高品质因数。同时,基于多个谐振腔的强耦合,展示了一款声表面波的密集波分复用器。该研究成果以“Monolithic Strong Coupling of Topological Surface Acoustic Wave Resonators on Lithium Niobate”为题发表在《Advanced Materials》期刊。论文第一作者为南京大学张子栋副研究员,通讯作者为南京大学陈延峰教授、卢明辉教授和徐海谭教授,南京大学余思远副教授参与了相关研究。该工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、中国博士后科研基金等相关项目的支持。

研究背景

机械谐振腔之间的强耦合能够在复杂的微纳结构中增强谐振频率劈裂和模式混合,可以实现谐振腔之间的相干声子传输。具有长寿命声子模式的机械谐振腔已被广泛用于量子信息处理的研究,例如量子声学和谐振腔之间的量子纠缠。为了探索机械谐振腔的强耦合在量子信息处理中的可能应用,需要将其工作频率提高到GHz以上,这是因为更高的频率允许使用标准制冷技术,使机械谐振腔进入基态。

尽管研究人员在不同的体系中对机械腔的强耦合进行了研究,例如微纳悬臂梁、声子晶体构建的悬浮声子腔、共衬底纳米柱谐振腔和光机械腔,但这些谐振腔之间强耦合研究的工作频率都在KHz~MHz之间。这些耦合体系目前还无法实现更高工作频率的机械谐振腔强耦合,而且为了实现更高频率可能需要更先进更复杂的测试设备、以及更先进的加工技术,并且这些器件的制造复杂性会引入更多的制备缺陷,这将引起器件工作频率失谐。

一维拓扑表面声波声子晶体具有简单的几何结构、成熟的制造技术、高效的电声转换效率、以及实现具有抗缺陷能力的高质量因数(Q)谐振腔的能力,提供了用于开发GHz机械谐振腔强耦合的极佳平台。

研究亮点


在该工作中,研究人员基于高Q值的声表面波拓扑界面态,在铌酸锂上实现了单片集成的、拓扑保护的声表面波谐振腔的强耦合,该谐振腔工作频率位于GHz以上。声表面波拓扑谐振腔的示意图如图1a。当声表面波在铌酸锂表面自由传播时,其色散曲线如图1b。声锥内存在一对声表面波简并点。当在自由表面上刻蚀凹槽,形成声子晶体后,简并点将打开,形成带隙,如图1cd所示。虽然,两种声子晶体具有相同的色散曲线,但具有不同的Zak相位。进一步,通过色散曲线对应振动模态证实其发生了能带反转。


1. (a) 通过互连两个具有不同拓扑属性的声子晶体(图中标记为声子晶体1-PnC1和声子晶体2-PnC2)构建的一维拓扑声表面波谐振腔的示意图 (b)自由铌酸锂表面的声表面波色散曲线,其中波传播方向沿铌酸锂的128YX传方向 (c, d) PnC1PnC2 的色散曲线。


这两种声子晶体具有不同的拓扑属性,因此,其重叠的带隙中存在一个拓扑界面态。接着,研究人员通过实验证实了拓扑声表面波谐振腔的存在。图2a展示了采用微纳加工工艺制备的声表面波谐振腔的SEM图。图2b是通过原子力显微镜表征的结构表面轮廓,证实其具有光滑的表面。自由表面声表面波延迟线的工作频率范围为1.021.12 GHz,如图2c中的橙色曲线所示。当声子晶体被引入延迟线中间时,观察到一个大约25 MHz的声子禁带,其带内抑制接近20 dB,如图2c中的绿色曲线。对于具有拓扑界面结构的器件,其在禁带中会存在一个高Q值的谐振模式,如图2c中的蓝色曲线所示。图2d展示了谐振峰的放大图,其Q值高达6400。声子晶体周期数对Q值的影响如图2e,随着声子晶体周期数的增加,Q值也显著增加。

2. (a) 一维拓扑声表面波谐振腔的器件扫描电子显微镜(SEM)图,下半部分为放大的单向叉指换能器、界面放大图、和蚀刻凹槽的横截面图 (b)通过原子力显微镜获取的谐振腔的表面轮廓 (c)铌酸锂上的自由表面、一维声子晶体和一维拓扑谐振腔的透射谱 (d) 频率为1.0574 GHz谐振峰 (Q≈6400) 的放大图 (e) 拓扑界面态的Q值和传输耦合强度与声子晶体周期数的关系。


为了研究拓扑声表面波谐振腔之间的耦合,研究人员设计了一种声子晶体异质结结构,如图3a所示。在其中一个界面处引入宽度为ds的插入层,如图中的白色区域所示。图3b展示了异质结构的透射谱随间隔层厚度变化的色散曲线。两个拓扑界面态的色散谱中存在明显的反交叉现象,这是两种模式强耦合的典型特征。随着ds的减小,单独的拓扑界面态1(TIS1)振动模式逐渐转变为混合振动模式,然后再转变为单独的拓扑界面态2(TIS2)振动模式,如图3c所示。



3. (a)具有两个声表面波拓扑界面态的声子晶体异质结示意图 (b)耦合拓扑声表面波谐振腔的透射谱色散曲线 (c)(b)P1P2P3点拓扑界面态的能量场分布。

研究人员通过实验证实了拓扑界面态的强耦合。器件的SEM图如图4a。器件的传输谱如图4b,当两个界面态发生耦合时,两个谐振腔的频率会发生拉比劈裂。图4c展示了随着声子晶体周期数的增加,拓扑界面态的Q值也相应的增加。当声子晶体周期数增加到120, 两个谐振峰的Q值分别达到了11572 11323。为了进一步证明强耦合,研究人员测量了耦合谐振腔的传输谱随插入层厚度变化的色散曲线,如图4d所示。接着,研究人员研究了两个界面之间的距离对能量场增强和耦合强度的影响。随着两个界面之间的距离减小,拉比劈裂增加,如图4e所示。两个界面间距离对场增强的影响如图4f,不同距离对场增强效果的影响区别不大。

4. (a)制备的声子晶体异质结器件的SEM图,下半部分为异质区域的放大图 (b)自由表面、单个拓扑界面态谐振腔和耦合拓扑声表面波谐振腔的透射谱 (c) 耦合拓扑界面态的Q值与声子晶体周期数的关系 (d)随着插入层厚度的变化,实验测量的耦合谐振腔的色散曲线 (e)PnC2的晶胞数量N对两个拓扑界面态的谐振频率和频率分裂的影响 (f)PnC2晶胞数量N对能量场增强的影响。


更进一步,研究人员通过多个拓扑界面态的耦合实现了声表面波的密集波分复用器。图5a是由十个相同界面组成器件的SEM图。图5b展示了该结构的传输谱,其带隙中存在10个谐振峰,自由谱范围大约为3.48MHz。这源于具有相同工作频率的谐振腔之间的强耦合。

5. (a)具有十个耦合拓扑界面态的器件SEM (b)所制备器件的传输谱。

总结与展望


通过两个声表面波拓扑界面态的强耦合,研究人员实现了高达22MHz的拉比劈裂和高达1.2×10^13Hz的频率品质因数乘积。该拓扑界面态的强耦合可以通过几何参数来调节,基于此,实验可以观察到传输谱的反交叉特征强耦合的典型特征。此外,研究人员还展示了一种基于多个拓扑界面态耦合的新型密集波分复用器件。这些发现可以架起拓扑声学和微波声学的桥梁,促进拓扑声学在射频通信、传感和通用量子互连等不同领域的实际应用。


论文链接

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202312861


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