回顾2019，PCIe 4.0、UFS3.1、持久性内存众多新品布局完成

2019年的存储市场，可以说是充满了挑战和机遇。一方面，NAND闪存价格下落，再加上全球经济形势，对于国际化的存储市场带来了不少动荡因素。另一方面，5G高速网络、智能AI、智能驾驶汽车、物联网等等前沿科技的出现，让存储行业也迎接了新的机遇。

在2019年里，慧荣科技紧跟市场趋势，在全球范围内参加了数十场存储行业盛会，从年初的美国拉斯维加斯国际消费电子展（CES），德国纽伦堡世界嵌入式展会（Embedded World），台北电脑展（Computex）、美国圣克拉拉全球存储峰会（FMS），中国闪存市场峰会（CFMS），全球双峰会等等一系列展会将前沿技术和新兴产品与业界同行共同分享，谋求共赢。

在存储领域急剧动荡的这一年中，慧荣科技也有受到影响，但随着旗下产品线的全面覆盖和新产品不断推出更迭（包括嵌入式存储、扩展存储、客户端存储、企业级存储乃至显示芯片），整体布局的逐步完善和市场的积极回应，营收已正在不断攀升中。

在慧荣科技全面化的产品线覆盖中，对于存储业界的前沿技术，慧荣科技也在积极响应。SSD主控芯片中，在AMD推出第二代霄龙和第三代锐龙处理器后，PCIe 4.0成为了炙手可热的话题。慧荣科技于中国闪存市场峰会上展出了两款支持PCIe 4.0的SSD主控芯片SM2264和SM2267，分别定为消费类高端和入门级，支持最新的NVMe 1.4协议，同时也支持NAND Flash中最新的96+层 3D TLC/QLC颗粒。

其中SM2264是八通道主控芯片，最大容量16TB，最高顺序读写高达7GB/s和6GB/s，4K随机读写均可达到700K IOPS；SM2267是四通道，最大支持容量8TB，最高顺序读写速度分别可达4GB/s和3GB/s，4K随机读写均达400K IOPS。

2019年，三星Galaxy Fold折叠手机的出现，不仅仅是折叠屏带给大家的视觉震撼，也是UFS 3.0存储的首次亮相。而慧荣科技目前已推出性能更强的UFS 3.1主控芯片SM2754，支持双通道HS-Gear-4标准、SCSI体系结构模型(SAM) 和UniPro 1.8标准，可实现高性能存储访问、更高的能效和更简易的系统设计门槛。相信以目前5G智能手机的发展速度，不久之后，搭载UFS 3.1存储的智能手机将成为高端旗舰机型的标配。

大数据领域随着5G、云计算、物联网及智能AI等新一代信息技术的涌现，已经被三星、Intel、镁光、海力士等原厂视为重点布局的领域和市场，推出了一系列针对于大数据领域的新型存储介质和方案。

慧荣科技也非常重视Persistent memories（持久内存）在存储系统中的应用，作为介于内存（DRAM）和固态硬盘（NAND Flash）两种不同存储设备中的一种技术，结合了两者之间的优点，拥有比NAND更快的读写速度，更低的响应延时，更高的写入次数，拥有更长的使用寿命。与DRAM相比，可以在断电情况下仍然具有存储数据的能力。

正因为持久性内存的特殊定位，通过更快的读写速度和更大容量的存储空间来帮助操作系统实现更快速的数据响应，能够为多样化的数据中心使用场景带来新的提升，随着时间推移和数据量的飞速增长，持久性内存的优势还将一一展现。

在嵌入式存储产品中，慧荣科技的PCIe NVMe FerriSSD系列产品凭借出色的设计、稳定持久的使用寿命、出色的性能表现、多项安全性措施、完整的数据保护，在业界广受好评，正是凭借着上述优点和业界认可，在全球双峰会上，荣获全球电子成就奖。