在SSD的技术浪潮中，主控芯片起着核心作用，直接关乎产品的性能表现。慧荣科技作为全球领先的NAND闪存主控芯片供应商，推出的PCIe 5.0主控芯片SM2508，凭借6纳米先进工艺和出色设计，成为高端SSD的强大“心脏”。而搭载这款主控芯片的佰维X570 PRO天启 PCIe 5.0x4 SSD，更是备受瞩目，展现出冲击旗舰级 SSD 的强劲实力。
佰维在存储领域深耕多年，不断加大技术研发投入，积极拓展产品线。X570 PRO天启作为其高端市场的重磅产品，凝聚了佰维在存储技术上的最新成果。该产品搭载慧荣科技SM2508主控芯片，同时配备高性能闪存颗粒以及DRAM缓存，从硬件层面为卓越性能奠定了坚实基础。
慧荣科技SM2508主控支持PCIe 5.0 x4接口及NVMe 2.0协议，内建8个最高3600MT/s速率的闪存通道，顺序读取速度最高14.5GB/s，顺序写入最高13.6GB/s，随机读写最高均达250万IOPS。面对400GB的DeepSeekR1模型数据，超高的读取能力可实现快速加载，轻松应对AI训练、推理及多模态任务等高要求场景，为AIPC、游戏主机及本地化AI应用用户提供强大存储支持。
更重要的是，SM2508主控芯片基于台积电6纳米EUV制程打造，相比12纳米工艺，功耗大幅降低约50%，整体功耗可控制在7W以下，功耗效率比PCIe 4.0 SSD提升1.7倍，比PCIe 5.0竞品提高70%。
#01
软件基准测试
通过 CrystalDiskMark 实测，佰维X570 PRO天启在1GB和32GB文件测试中，顺序读取分别达到14,275MB/s和14,324MB/s，顺序写入速度分别达到13,258MB/s和13,234MB/s，均超过官方标称的14,000MB/s读取速度和13,000MB/s写入速度。
3DMark的存储基准测试通过模拟游戏活动对存储设备进行压力测试，包括加载游戏、保存进度、安装游戏文件以及录制游戏视频流等场景。佰维X570 PRO天启，获得了3707分的高分。
#02
进阶测试
为贴合用户实际使用场景，分别进行占用空间半盘、3/4盘和接近满盘三种情况进行测试。佰维X570 Pro天启在三种情况下均能保持稳定的顺序读取和顺序写入性能，与空盘状态下的测试性能一致。
温度方面，使用主板自带金属被动散热片进行覆盖。待机温度为53°C，满载写入时温度为73°C，并且此时传输性能没有触碰到降速。足以见得在先进制程工艺和智能管理机制的SM2508主控芯片加持下，佰维X570 RPO天启能够充分发挥PCIe 5.0的高速带宽。
综合各项测试结果，佰维 X570 Pro天启 PCIe 5.0x4 SSD 无疑是一款集高性能、高稳定性、高耐久度于一身的旗舰级存储产品。它凭借慧荣 SM2508 主控芯片、优质闪存颗粒和大容量缓存的强强联合，在顺序读写、随机读写、散热控制等方面均表现出色。在竞争激烈的 SSD 市场中，佰维X570 PRO天启以其卓越的性能和可靠的品质，为消费者提供了极具竞争力的高端存储解决方案。
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