

撰稿|由课题组供稿


图1 基于多聚体分析法的Stampfli型及Stampfli环型准晶的紧束缚模型及高阶拓扑性。(a) 两种准晶结构的紧束缚模型;(b) 两种准晶中的多聚体类型;本征值能谱、电荷密度分布及波函数的归一化概率分布:(c)–(e) Stampfli型准晶;(f)–(h) Stampfli环型准晶。

图2 平均电荷密度之差随t0及t1的变化(t0及t1分别为基本单元内及相邻基本单元间的最近邻耦合强度)。(a)与(b) Stampfli型准晶;(c)与(d) Stampfli环型准晶。

图3 Stampfli型光子高阶拓扑准晶绝缘体。(a) 基本单元示意(准晶中的单个格点,布置了6个点位,各点位布置散射体,散射体存在的3种间距情况);(b) 19个基本单元示意;(c) 实验样品照片;(d) 本征频率分布仿真结果;(e) 透射谱实验结果;角I及角II区域的拓扑角态:(f) 仿真结果;(g) 实验结果。

图4 Stampfli环型光子高阶拓扑准晶绝缘体。(a) 实验样品照片;(b) 本征频率分布仿真结果及透射谱实验结果;角I、角II及角III区域的拓扑角态:(c) 仿真结果;(d) 实验结果。

图5 光子高阶拓扑准晶绝缘体的鲁棒性。(a)–(c) Stampfli型光子高阶拓扑准晶绝缘体中引入缺陷类型的示意图;(d)–(f) 三种缺陷情况下的本征频率分布。
文章链接:
A. Shi, Y. Peng, J. Jiang, Y. Peng, P. Peng, J. Chen, H. Chen, S. Wen, X. Lin, F. Gao, and J. Liu, “Observation of topological corner state arrays in photonic quasicrystals,”Laser & Photonics Reviews 2024, 2300956.
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/lpor.202300956
DOI: https://doi.org/10.1002/lpor.202300956


