引领行业新高度，南智光电晶圆级薄膜铌酸锂PDK正式发布！

近日，由南京南智先进光电集成技术研究院有限公司（简称“南智光电”）主导的晶圆级薄膜铌酸锂器件工艺开发包(Process Design Kit，简称PDK)1.0版在Luceda（https://www.lucedaphotonics.com/zh_CN）和逍遥科技（https://www.latitudeda.com/）正式发布。该PDK的发布标志着晶圆级薄膜铌酸锂光电子器件设计与加工工艺标准化取得新的重要进展。

南智光电成立于2018年4月，主要开展光学微纳结构器件制造、异质集成光电芯片、光电子封装测试和光电集成设计等方向的技术研发和量产代工，已建成“薄膜铌酸锂+X”（X代表硅、化合物半导体、低维材料等）光子芯片产线，为光电企业、高校院所提供芯片器件研制、开发和代工生产。薄膜铌酸锂光电子器件具有高性能、低成本、小尺寸、可批量化生产、且与CMOS工艺兼容等优点，是未来高速光互连极具竞争力的解决方案。南智光电致力于晶圆级薄膜铌酸锂器件的制备工艺开发，通过PDK规范并定义调制器等器件加工所需的各类关键信息，可有效减少客户从设计到流片的时间成本，降低企业在研发和生产过程中的试错成本，提高生产效率。

该PDK中提供各种有源、无源器件，包括低损耗弯曲波导、分束器、端面耦合器和高速马赫曾德尔调制器等，基本工具库如下图。 

基于该PDK，南智光电可提供多项目晶圆（MPW）和定制化芯片制造服务，极大地减少了铌酸锂高端光电子芯片设计及研发的成本，并为客户提供专业高效的流片服务。

第一次MPW服务时间在8月初进行，欲了解更多TFLN流片平台工艺详情，敬请垂询400-115-3969或登录南智光电网站（www.ioptee.com）了解。