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Nature Materials:室温下中红外石墨烯等离子体的高效电学检测

Nature Materials:室温下中红外石墨烯等离子体的高效电学检测 两江科技评论
2018-08-28
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导读:近日,耶鲁大学的夏丰年教授和西班牙ICREA科学技术研究所的F. Javier García deAbajo教授合作,开发出了一种中红外石墨烯探测器,能够检测由红外光激发的等离子体衰减产生的热载流子,


导 读

     

        

    近日,耶鲁大学的夏丰年教授和西班牙ICREA科学技术研究所的F. Javier García de Abajo教授合作,开发出了一种中红外石墨烯探测器,能够检测由红外光激发的等离子体衰减产生的热载流子。该器件由石墨烯等离子体谐振器阵列组成,这些谐振器又通过准一维纳米带相互连接,可以在两种不同的无序辅助输运机制下运行。其相关工作以“Efficient electrical detection of mid-infrared graphene plasmons at room temperature”为题,于827日发表在《Nature Materials》期刊上。


背景介绍

等离子体(plasma)是原子或原子团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质,其相互作用主要受电磁力支配,并表现出显著的集体振荡行为。在光学激发后,等离子体在几个飞秒的极短时间内发生非弹性衰减,产生热电荷载流子;在高温(Te)下,载流子在十几飞秒内热化;接着,在较低温度Tl)下驰豫(relaxing),电子能量转化为晶格振动;最终,通过周围材料热扩散,温度降到室温(T0)。理论上,将等离子体衰减转换成可测量的电信号,可用于光检测和能量收集。研究人员曾尝试沿着耗散通道(dissipation pipeline)提取信号(例如,通过肖特基势垒上的内部光电效应),进行“等离子体-电子”能量直接转换的研究,但是等离子体的能量非常小,并且在红外和太赫兹(THz)范围的辐射效率很低,使得等离子体电学检测的应用受到限制。

最近,石墨烯在中红外(midinfraredmid-IR)和太赫兹等离子体中的应用潜力激发了广大研究人员的兴趣。与贵金属等离子体相比,在掺杂的石墨烯中,中红外和太赫兹等离子体具有非常强的光学限制效应和长寿命。有趣的是,由于较弱的“电子-声子”耦合效应,石墨烯中电子温度可以显著地高于声子的背景温度。此外,石墨烯较大的面内导热性有利于热载流子的辅助热传输。虽然石墨烯具有这些独特的性质,通过石墨烯等离子体来对热载流子产生过程进行电学探测仍然是一个尚未解决的难题。


创 新 研 究

在本项工作中,研究人员开发了一种简单而有效的双端口器件,能够检测由红外光激发的中红外等离子体衰减产生的热载流子。该研究的核心思想主要是利用了中红外等离子体共振增强效应,实现的器件是结合准一维石墨烯纳米带(nanoribbons)的分立化石墨烯谐振器,其热激活载流子的输运性质受到等离子体吸收的显著影响。他们通过监测12.2μm入射光强度函数的电导,测得面积为5×5μm2的器件在室温下的外部响应度为16 mA W-1,噪声等效功率NEP)低至1.3 nW Hz-1/2;其NEP理论极限为460 pWHz-1/2,主要受Johnson噪声、热波动噪声和散粒噪声(shot noise)限制。

该器件利用了石墨烯的几个物理特性,包括较强的中红外等离子体吸收、较小的电子热容和晶格热容、较慢的热载流子冷却速率、准一维纳米带中温度敏感的载流子输运以及较高的面内导热系数。由于采用石墨烯二维材料,他们的器件不需要制备悬浮结构以进行热隔离,因此它能够将片上光波导和光学腔等其他元件集成起来;同时,大规模的CVD石墨烯制备工艺具有可扩展性,使该器件有望应用于高分辨率中红外相机和高密度红外光子集成。此外,该器件的亚波长占位面积以及GHz的快速器件响应速度,有助于实现中红外激光雷达系统和8-14 μm大气透明窗口中的自由空间通信等应用。

最后,他们预测,通过设计石墨烯-等离子体共振器的形状和尺寸,还可以将该器件概念扩展到THz光谱范围。更进一步地,通过与波导和光学腔集成、采用更好的绝热结构,或通过减少准一维石墨烯纳米带的掺杂来提高电导的温度敏感性,也可以采用电阻温度系数更大的低维带隙半导体取代纳米带等方法,进一步提高和优化器件的性能。



图 文 速 览

图二 器件的设计和工作原理

a,器件的设计示意图,石墨烯-等离子体共振器由准一维石墨烯纳米带(GNR)连接组成;

b,光激发前化学势周围的无序电位;

c,石墨烯等离子体共振的光激发后,产生电子-空穴对,电荷-载流子温度升高;

d,热载流子激发(TCE)传输的示意图,其中具有较高热能的电子可以克服局部势垒;

e,最近邻跳跃(NNH)传输的示意图;

f,器件的光学图像(左)和石墨烯区域的伪彩色扫描电子显微照片(右);

g-h,入射光偏振垂直(g)和平行(h)时,石墨烯区域的红外消光光谱(1-t / t0)。

图二 载流子传输和光电流产生的温度依赖性

a,未图案化的石墨烯(圆形)、石墨烯-等离子体器件(正方形)的电导率(G)与环境温度(T0)的关系比较;

b,在偏压Vb =1V12.2μm光激发下,石墨烯-等离子体器件和未图案化-石墨烯器件的电导温度系数;

c,测量得到的等离子体器件中光电流对温度T0的依赖性与计算结果的比较;

d,在三个代表性环境温度(T0= 77K250K360K)下,测量的dI / dVb偏压Vb

e,计算升高的温度Te(实曲线)和降低的温度Tl(虚曲线)关于Vb的函数。

图三 器件的可扩展性和焦耳电子对响应度的影响

a-c,固定入射功率Pinc=660μW偏置,40×40μm2a)、10×10μm2b)和5×5μm2c)面积的光电流ΔI对环境温度的依赖性;

d,在环境温度T0 =77K下,在10×10μm2(圆形)和5×5μm2(正方形)器件中,ΔIVb的依赖性;

e,ΔI作为5×5μm2器件的Pinc函数。

四 


频率响应和噪声特性

暗电流噪声的频谱密度与零偏置的频率(黑色)和Vb = 1 V(蓝色)的关系。虚线表示用于比较的理论噪声极限。插图:测量的光电流幅度(灰色方块,左轴)与调制频率(10 Hz5 kHz)相比,GNR区域温度变化的频率响应模拟结果(红色曲线,右轴)。

 

文章链接  

https://www.nature.com/articles/s41563-018-0157-7

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        编辑:冯元会 方轲

        审核:颜学俊


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