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层霍尔效应源自何方?材料中潜伏的贝利曲率 | NSR

层霍尔效应源自何方?材料中潜伏的贝利曲率 | NSR 两江科技评论
2022-09-22
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导读:南方科技大学卢海舟、刘奇航,北京大学谢心澄团队


层霍尔效应是一种新型的霍尔效应,是指在垂直外电场的调控下,材料中的上下表面电子自发偏向不同方向运动[下图(c,d)]。在最近发表于《国家科学评论》(National Science Review, NSR)的一篇文章中,南方科技大学卢海舟、刘奇航,北京大学谢心澄团队揭示,反铁磁拓扑绝缘体中的层霍尔效应是由其中潜伏的层贝利曲率诱导产生的[下图(b)],而外在电场不是层霍尔效应的必要条件[下图(a)]

层霍尔效应及潜在的贝利曲率。(a) 层霍尔效应示意图 (b) 层霍尔效应中潜伏的贝利曲率 (c,d) 在垂直外电场的调控下,材料中上下表面电子自发的偏向不同方向运动研究者还:

  • 提出了一种不需要外在电场就能探测层霍尔效应的手段;

  • 提出了在实验中增强层霍尔效应的不同方法;

  • 提出了更多能够实现该效应的拓扑材料;

  • 指出对应的潜伏物理图像适用于更多的自由度,例如自旋和轨道等。



了解详情请读原文▼
[点击下方链接或阅读原文]
Layer Hall effect induced by hidden Berry curvature in antiferromagnetic insulators
https://doi.org/10.1093/nsr/nwac140

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