拓扑电子平带Topological electronic flattened bands，主要位于费米能级附近或费米能级处，是通往非常规超导和相关绝缘态的必经途径。然而，相关实验大多局限于工程材料，如莫尔moiré 系统。
图1：三种可能的平带类型。
表1|无机晶体结构数据库Inorganic Crystal Structure Database，ICSD条目统计信息，该数据库为每个晶格类型分配至少一个子晶格。
图2：代表性平带材料的晶体和能带结构。
该项研究，对费米能级附近的平坦电子带进行了高通量搜索，并从化学计量晶体材料的晶体结构中，检测了线图line-graph和二分子晶格bipartite sublattices。根据平带拓扑结构、态密度、平带长度以及对平带有贡献原子所形成的晶格类型，对平带材料进行了细致分类。
这一算法应用于55206个无机晶体结构数据库Inorganic Crystal Structure Database，ICSD条目，研究发现，所有ICSD条目中，24052个（43.57%）在其晶体结构中至少具有Kagome、烧绿石、Lieb、二分体或分裂子晶格中的一种。对于人工筛选的6338个ICSD（2379个独特材料），这一比例提高到59.26%，对于最具代表性的平带材料，这一比例提高到73.87%。使用S矩阵方法，对五个典型化合物举例说明，可以在理论上解释材料中的平带出现。
该项研究结果，均可在材料平带数据库Materials Flatband Database website (MFBDB：https://www.topologicalquantumchemistry.fr/flatbands/) 网站上访问。这一研究结果，为未来结合拓扑和相互作用的平带材料理论和实验研究，铺平了道路，并产生了奇异量子现象，如磁性，非费米液体行为和超导。
目前，这种平带研究，仅限于二维工程扭曲莫尔晶格。虽然目前工作研究的是三维材料顺磁能带结构中的平带，但该研究方法，可以适用于探测磁能带结构、二维单层材料、声子和光子晶体中的平带。此外，这种平带flat obstructed atomic band，FOAB的进一步分类，有望扩大电荷中心远离原子位置的平带集合。
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