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【光讲预告】氮化硅-铌酸锂异质集成光电子器件——田永辉

【光讲预告】氮化硅-铌酸锂异质集成光电子器件——田永辉 两江科技评论
2024-07-23
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导读:7月25日(周四) 晚间19: 00《氮化硅-铌酸锂异质集成光电子器件》直播开讲



光讲—有用

光学报告在线开讲活动


主办方


中国科学院西安光学精密机械研究所


承办方


*中科院青促会西安光机所小组&析光学术

*两江科技评论

*light学术出版中心

《Ultrafast Science》&《光子学报》编辑部

光学报告在线开讲活动

1

直播主题

氮化硅-铌酸锂异质集成光电子器件

2

直播时长

45分钟报告+15分钟答疑


3

开播时间

7月25日(周四) 晚间19: 00


第四季“光讲”线上报告-第六讲



报告人   简介


田永辉  教授


田永辉兰州大学,教授,博士生导师,物理科学与技术学院副院长。近年来,围绕片上光通信、光互连等领域的国家重大战略需求,基于氮化硅-薄膜铌酸锂异质集成平台开展多维光子学、高速电光调制、光电混合计算、微波光子学等方向的研究、取得了一系列创新成果。目前主持包括科技部重点研发计划课题、国家自然科学基金面上项目等在内的科研项目10余项。在相关项目的资助下,在集成光电子芯片领域国际著名光学期刊发表学术论文80余篇。申请国家发明专利20余项,其中授权专利15项。培养指导的多名硕士、博士研究生先后取得甘肃省优秀博士、硕士学位论文等成果。


报告摘要


薄膜铌酸锂具有优异的电光及非线性效应,是实现集成光电子器件的理想材料。遗憾的是铌酸锂具有稳定的化学性质,传统的化学刻蚀方法难以实现对铌酸锂材料的有效刻蚀。虽然各种物理刻蚀方法能够有效的刻蚀出低损耗的铌酸锂波导,然而该方法在刻蚀薄膜铌酸锂微结构如亚波长光栅、光子晶体等还面临一些挑战。本报告将介绍一种基于氮化硅-薄膜铌酸锂异质集成平台,基于该平台只需要利用成熟的工艺技术刻蚀氮化硅层就可以形成氮化硅-铌酸锂异质光波导,这样既能充分发挥薄膜铌酸锂优异的电光及非线性效应实现性能优异的集成光电子器件,又能有效解决铌酸锂材料难以刻蚀的问题,为在薄膜铌酸锂衬底上实现有源及无源光电子器件的大规模集成提供了方便。

直播登录网址

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2、栏目内容

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