氨化镓(GaN)技术如今在电力电子行业风靡一时，这种宽禁带半导体能够实现非常高的效率和功率密度，因此能够减小电源的体积，并且降低其工作温度，该性能优势正迅速成为电源制造商保持竞争力和符合日益严格的能效标准的必要条件。
在3KW+的服务器电源应用中，用SiC与创飞芯源的D-GaN做对比两者的表现如何呢？
采用创飞芯源650V/35mR/TO247-4 D-GaN, G, S以及D, S管脚上的波形如下：
输出效率比较图如下：
我们的结论：在服务器电源应用中，GaN FET波形漂亮，工作稳定，能效潜力优于SiC Mosfet。
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