氮化镓小知识
氮化镓(GaN)是一种重要的半导体材料，具有优良的电子特性和广泛的应用前景。在研究和应用过程中,GaN可以被分为E型和D型两种不同的形式。
应用
E-GaN在30W~300W电源应用中，因其高频高效特性，已得到市场认可;
D-GaN在1000W+的高功率应用中，因其驱动简单可靠，良好的可并联性，得到市场认可;
SiC在1200V+，1000W+的高压高功率应用中，已得到大规模应用和认可;
D-GaN VS E-GaN VS SiC
测试数据对比
创飞芯源G2N65R035TQ-H
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英诺赛科INN650TA050AH
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Wolfspeed: E3M0045065K
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说明
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类别
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D-GaN
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E-GaN
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SiC
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Rdson
(typ)
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35mΩ(25℃)
70mΩ(150℃)
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38mΩ(25℃)
87mΩ(150℃)
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45mΩ(25℃)
63mΩ(150℃)
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随温度变化，SiC变化最小，E-GaN 最大
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Vgsth(V)
min-typ-max
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3.0-3.5-4.0 (Id=4.3mA）
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1.2-1.7-2.5（Id=61.9mA）
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1.8-2.8-3.6（Id=4.84mA）
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D-GaN最好
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关断是否需要负压
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否
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是
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是
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D-GaN最好
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Vgs稳态电压范围
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+/-20V
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-6~+7V
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-8~+19V
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D-GaN最好
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Vgs瞬态电压范围
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+/-30V
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-20~+10V
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-8V~+20V
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D-GaN最好
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Idss(typ)
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3uA
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0.75uA
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1uA
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E-GaN最好
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Igss
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< 100nA
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180uA
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< 250nA
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E-GaN大1000倍
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Ciss
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2410pF （Vds=400V）
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450pF（Vds=400V）
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1593pF
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E-GaN最好
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Crss
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10pF(Vds=400V)
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2.0pF(Vds=400V)
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7pF
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E-GaN最好
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Coss
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150pF(Vds=400V)
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208pF(Vds=400V)
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99pF
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SiC最好
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Vsd(反向导通压降)
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-1.4V(15A)
-1.9V(30A)
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-2.5V(16A)
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-4.7V(9A)
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D-GaN最好
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Eoss
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17.6uJ
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22.8uJ
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9.76uJ
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SiC最好
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Qoss
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150nC(0~400V)
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150nC(0~400V)
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105nC(0~400V)
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SiC最好
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Qg
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38nC
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12.5nC
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64nC(-4V~+15V)
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E-GaN最好
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Qgd
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13nC(0-400V)
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5nC(0-400V)
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19nC(0-400V)
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E-GaN最好
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Qrr
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150nC
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150nC
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142nC
di/dt>2000A/us
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相当
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Trr
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41ns(Is=30A,di/dt=1000A/us)
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0
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14ns
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E-GaN最好
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END
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