AI时代正大步来临！或是人类第五次科技革命，必将颠覆我们常识里的认知。
马斯克说，AI的尽头是能源，AI应用对能源的需求将超过任何领域，包括新能源汽车。能源转换的基石是功率器件，Si Mosfet，IGBT，三代半的SiC，GaN，以及四代半的Ga2O3各领风骚，飞速发展。
深圳市创飞芯源半导体有限公司，简称“创飞芯源”。
创飞芯源专注功率器件的研发，产品有Si Mosfet，IGBT，和D_GaN FET。公司采用全球最先进的12寸晶圆工艺平台，推出高性能，并极具性价比竞争力的系列Mosfet，IGBT产品，以及D_GaN FET产品。
GaN FET技术应用
在75W+ charger应用中，相对于经典的超结Mosfet，GaN具有高频，高效，体积缩小50%，具有超强导热、散热等优点。
在1KW+数字电源应用中，相对于SiC，D_GaN具有驱动简单，更高能效，更适合做大功率高频的功率器件，更优性价比等优点。
产品详情，欢迎浏览：www.cf-xpower.com
创飞人的使命：用绿色赋能世界（Power The World Green）
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