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电子计算机的发展，需要快速而大容量的磁性记忆元件，用小体积的磁体保存处理尽量多的信息。近年有利用稀土铁石榴石(RE₃Fe₅O₁₂)和铁酸盐(REFeO₃)作为热磁记忆物质，利用它们的异常的磁性与温度的关系。例如，当以激光束照射在Gd₃Fe₅O₁薄片上使局部加热至磁补偿点的温度时(13℃), 矫正顽力发生异常变化而产生热磁记录，并可在Gd₃Fe₅O₁₂薄片上每cm² 记录下1.5×10⁶ 的二进位组，实现不破坏记录而读出信息。掺铁的EuO磁膜也用作记忆物质，在液氮下操作，用砷化镓半导体激光源，记录和读出速度可达5×10⁶二进位组/s, 记录密度为每cm²F.18×10⁶二进位组。对SmS晶体用红宝石短脉冲激光照射后，表面被照射处(约1~20pam直径)发生相变，从反射率大的金属相转变为反射率小的半导体相，可利用这一性质作为可擦除的光学信息存储。
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