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1967年，Bell实验室Bobeck等人首先提出了用磁泡实现固体化存储器的设想。1969年Bobeck在国际磁学会议上演示了磁泡的产生、传输、缩灭、复制以及第一台磁泡移位寄存器。
此后磁泡的研究工作在世界各国蓬勃发展起来。磁泡存储器一直和半导体存储器和磁盘存储器相互补充、相互竞争，速度很快，但容量较小，磁盘、磁带等存储系统容量很大，但速度很慢，而容量大于半导体存储器，其速度快于磁盘存储器，这正好弥补了二者的不足。并且磁泡存储器有信息非易失性、器件完全固化、无机械部分、工作范围宽、抗辐射、耐恶劣环境等。因而在国外已应用于微机、机床控制、机器人、电话交换机、飞行记录器和测量仪器等方面。
1972年，磁泡技术的发展遇到了使磁泡存储器在磁泡传输过程中失误的“硬泡”危机，引起人们的极大关注。由此进行了大量关于硬磁泡的研究，建立了硬泡畴壁模型和畴壁理论，提出了抑制硬泡产生的方法，并且带动了新的存储方案的研究。
1983年，日本九州大学的小西进（Konishi）提出了超高密度布洛赫线存储器（BLM）方案。常规的磁泡存储技术是用磁泡的有、无来体现信息的1和0，而小西进（Konishi）提出的布洛赫线存储技术则是把磁泡拉长为条状磁畴，用其畴壁中垂直布洛赫线（vertical Bloch line，简称VBL）的有、无来体现信息的1和0。由于 VBL的宽度很窄，与常规磁泡存储器件相比，每bit所占面积很 小，因而，使存储密度大大提高，一般说来，同种磁泡材料的VBL存储密度比常规磁泡材料高30到100倍，从而再一次引发了国际上研究VBL的热潮。
当时国际上每年召开一次专门的VBL工作会议，人们对VBL的产生、稳定性等做了大量的研究。1989年3月31日，日本的日立公司宣称完成了全功能的BLM存储芯片，并预言1990年会有商品投入市场。直到今天，也没有BLM商品问世。原因是多方面的，不过究其原因主要是人们对VBL的认识还不够深入。BLM是以VBL作为信息载体的，因而VBL的物理特性就是直接关系到BLM前途，另一方面，到目前为止，人们还不能直接得到石榴石磁泡膜中的VBL，而磁畴的动态特性是VBL性质的外在反映，因此对作为磁化矢量微磁结构的VBL的深入研究具有显见的学术意义。
我国于1978年开始从事这方面的研究。河北师范大学物理系聂向富等人与中科院物理所韩宝善等人合作，对VBL的产生、消失及稳定性进行了深入的研究，取得了一系列重要进展。
如VBL链解体的临界温度T°发现，外延石榴石磁泡材料中硬磁畴新分类方法的提出为VBL的深入研究提供了方便。德国Eelan-gen-Urnberg大学的A.Hubet教授在一次国际磁学会上评论聂向富等人和中科院物理所韩宝善等人合作成果时曾说，他们的研究成果提出了一个十分紧要的问题，那就是如何在畴壁中防止布洛赫点的产生，从而使VBL稳定存在，不解决这个问题，BLM的前途就有问题。
目前还不能观察到石榴石磁泡材料中的VBL，VBL存在直接影响着硬磁畴的动态特性，而磁畴的动态特性是VBL性质的外在反映，因此，对磁畴的动态特性的研究就显得尤其重要。
近年来，探索布洛赫点的形核规律，防止布洛赫点形核使BL稳定存在也关系到VBL的前途，相信有关人员的努力，一定会取得成功。
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