厦门稀土材料研究所用于导电和辐射屏蔽的稀土基高熵陶瓷材料研发取得最新进展

　　采用溶胶凝胶法结合部分烧结工艺制备 （La0.2Y0.2Nd0.2Gd0.2Sr0.2）CrO3 多孔导电高熵陶瓷，其具有高孔隙率、低电阻率、低热导率等特点，可用于新一代催化剂载体、发热器件和热电材料等。该研究成果以全文形式发表在《Journal of Alloys and Compounds》期刊上（https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.158763）发表，第一作者为在读硕士张雪松，杨帆研究员为通讯作者。

　　随着核能的发展，开发一种无毒、轻质、可同时屏蔽中子和γ射线的新型辐射屏蔽材料的需求愈发紧迫。稀土元素因具有优异的耐辐照能力（Ce）、大的热中子俘获截面（Sm、Eu、Gd）、轻毒及无弱吸收区等特点，可作为铅基屏蔽材料的良好替代。杨帆课题组采用高温固相合成制备（La0.2Ce0.2 Gd0.2Er0.2Tm0.2）2（WO4）3 高熵陶瓷粉体并与环氧树脂进行复合得到辐射屏蔽材料。中子照相结果显示，2 cm 厚度的复合材料的中子阻隔效率大于 99%。γ射线屏蔽测试表明，该材料在铅的弱吸收区（44 - 80 keV）具有很高的铅当量（0.4340 mmPb），在中低能区的线性衰减系数明显高于Ta2O5、Bi2O3、HfO2、WO3等重金属氧化物。该成果以全文形式在SCI一区期刊 《Materials & Design》 上（https://doi.org/10.1016/j.matdes.2021.109722） 发表,第一作者为在读硕士张雪松，杨帆研究员为通讯作者。