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(1)稀土石榴石单晶薄膜磁光材料:1971年报道了用等温浸渍液相外延法生长石榴石单晶薄膜,随后世界各国相继开展了稀土石榴石单晶薄膜的研究。生长石榴石单晶薄膜最常用的衬底是(111) 晶面的Gd3Ga5O12单晶片,也有用Nd3Ga5O12及Gd3Sc2Ga3O12单晶作衬底。通常要求晶体缺陷少于5个/cm2,晶相偏差小于0.5°。这种晶体的切、磨、抛和清洗工艺类似于半导体材料。
稀土铁石榴石在1~6 μm波长有很低的光吸收a,但在其他光波区域,由于Fe3+的跃迁使a增加。通过掺杂抗磁性离子如Ga可以减弱Fe3+ 的跃迁而使a降低。但抗磁性离子会大大减弱交换作用,导致强烈影响到材料的磁性和磁光性能。当材料中掺人可引起跃迁的金属离子时,一方面可能由于该金属离子导致新的跃迁,另一方面可能影响Fe3+的跃迁,使得石榴石单晶薄膜的a增加。Pb2+离子的渗人会大大增加a,随着Pb含量增加而不断上升。Bi 对a的影响则比Pb小得多。目前研究较多的主要为铋镨铁铝石榴石单晶薄膜、铋铥镓铁石榴石单晶薄膜及钇铁石榴石单晶薄膜磁光材料。其中钇铁石榴石单晶薄膜既是种磁光材料,也是一种新型的微波材料。除用于磁光器件外,还可用微波集成工艺,做成各种静磁表面波器件,使器件集成化、小型化,在雷达、遥控遥测、导航及电子对抗中有特殊的用途。
(2)稀土铁族金属非晶薄膜磁光材料:1973年用高频溅射法制备的非晶GdCo薄膜问世后,稀土-铁族金属(RE-TM) 非晶薄膜的研究得以迅速发展,并推动了磁光光盘技术的发展。稀土铁族金属非晶薄膜信噪比大,制造简便,成本低。
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