海豚君整理美光科技FY2026Q2分析师小会纪要。
美光分析师小会核心要点
产品策略
公司强调不会因HBM与非HBM短期价差调整产能分配。客户构建AI系统需完整产品配套，平衡供应是行业规模出货的关键。
资本开支
FY26资本开支上调至超250亿美元，聚焦DRAM和HBM扩产；FY27建设支出预计增加约100亿美元。NAND投资在FY27开始提升但份额仍较小，2027财年后公司或将审慎控制支出规模。
产能限制
DRAM产能紧张将持续至2027年，显著改善需到2028年。产能释放时间将根据需求动态调整，当前无法预测供应何时追平需求。
市场关注度
美光业绩远超预期，反映存储周期上行红利。市场更聚焦盈利可持续性，包括长期协议条款、需求保障水平及供需平衡展望。
管理层回应
① 长期协议升级至5年期，属战略合作而非锁单；② 需求保障度维持50%至2/3；③ 供应紧俏持续至2027年；④ 资本开支增长至2027财年后或下降，后续供需存不确定性。
管理层表态略低于市场预期，市场担忧2027年后业绩表现。虽2026-2027年增长确定性获共识，但长期周期属性可能压制PE估值提升。
美光财报关键数据
业绩表现
FY2026Q2收入238.6亿美元（超预期22.3%），EPS 12.20美元（超预期39.8%）。DRAM和NAND价格强劲上涨，出货量环比提升。
业绩指引
FQ3价格仍将主导增长，DRAM和NAND出货量预计温和增加。
资本开支
FY26资本开支从200亿上调至超250亿美元，主要用于DRAM和HBM扩产；FY27建设支出预计增约100亿美元，NAND投资占比仍较低。
成本与费用
新产线启动成本约每季度1-2亿美元，影响利润率50bp或更低；FY27运营费用将稳定在17亿美元，主因研发支出增加。
产品利润率
当前非HBM DRAM利润率高于HBM，HBM3E良率持续改善，HBM4良率爬坡进展更快。