以下为海豚君整理的美光科技(MU.US) FY26Q2财报电话会纪要。
美光管理层交流核心信息
1）行业展望：2026年DRAM bit出货量预计增长约22%，受限于洁净室产能、HBM转换比率提升及单晶圆bit产出下降；NAND bit出货量预计增长约20%。
2）HBM进展：已量产出货专为NVIDIA Vera Rubin设计的HBM4 36GB 12-high；HBM4良率爬坡快于HBM3E；HBM4 16-high（48GB/cube）送样中；HBM4E采用1-gamma节点，预计2027年量产。
3）毛利率：供给受限状态将持续至2026年后，支撑短期定价；81%的下季度指引已反映HBM4增长影响，价格上涨对毛利率的边际提升效果递减。
4）资本开支：2026财年超250亿美元，2027财年建设支出同比增加超100亿美元。
5）战略客户协议：签署首份五年期SCA，与常规一年期LTA不同，含多年期约束性承诺；正与多市场客户谈判类似协议。
6）需求保障：关键客户中期需求满足率仅50%-67%，与前次交流一致。
美光财报核心信息回顾
1. 股东回报：季度股息上调30%至每股$0.15；本季度回购$3.5亿股票。
2. 业绩指引：Q3收入$335亿（±$7.5亿）、毛利率81%、EPS $19.5（±$0.40），创历史新高。
3. 财务指标：Q2收入$239亿（同比+196%），DRAM收入$188亿（占比79%）、NAND收入$50亿（占比21%）；毛利率75%（环比+18pp）；自由现金流$69亿创纪录。
4. 资本结构：现金及投资$167亿，净现金$65亿达历史高位；信用评级升至BBB。
5. 产能投资：2026财年CapEx超$250亿，2027财年建设支出大幅增加。
美光财报电话会详细内容
高管陈述核心信息
DRAM技术与产能
a. 1-gamma节点良率爬坡创历史最快，2026年中成为主力；
b. 1-delta节点强化EUV应用以提升空间效率；
c. DRAM出货量受产能约束，增长低于行业预期。
HBM突破
a. 量产HBM4 36GB 12-high；
b. HBM4良率进展超HBM3E，16-high（容量+33%）送样；
c. HBM4E计划2027年量产，支持下一代AI平台。
NAND与数据中心
a. G9节点2026年中成产能主力；
b. PCIe Gen6 SSD已商用，122TB产品能效比HDD高16倍；
c. 数据中心NAND收入环比翻倍，供给持续紧张。
终端市场
a. AI驱动存储需求：2026年数据中心DRAM/NAND bit TAM首超行业总量50%；
b. 服务器出货量预计增长12%，PC/智能手机受供给约束出货量下滑双位数；
c. AI设备内存升级加速：旗舰PC推荐32GB+、手机DRAM 12GB+占比达80%；L4自动驾驶需300GB+内存。
全球产能布局
美国爱达荷/纽约fab建设超预期，桐锣厂2026年底启动二期建设，新加坡新增HBM/NAND产线，印度封测基地实现商业出货。
Q&A环节
分析师就毛利率可持续性、HBM4占比影响等议题进行深入探讨。